MIXA20WB1200TED 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的功率MOSFET模块,专门设计用于高功率密度和高效率的电力电子应用。该器件采用先进的碳化硅(SiC)技术,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效能和高可靠性的系统,如工业电机驱动、可再生能源系统和电动汽车充电设备。
类型:功率MOSFET模块
材料:碳化硅(SiC)
漏极-源极电压(Vds):1200V
连续漏极电流(Id):20A
最大功耗(Ptot):150W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-247
导通电阻(Rds(on)):典型值为 80mΩ
栅极电荷(Qg):典型值为 45nC
输入电容(Ciss):典型值为 1800pF
MIXA20WB1200TED 采用碳化硅(SiC)技术,具有显著的性能优势。其低导通电阻(Rds(on))降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,该模块的高频开关能力使得设计者能够使用更小的无源元件,从而减小了整体系统的尺寸和重量。
该器件的高击穿电压(1200V)和较大的连续漏极电流(20A)使其能够应对高功率应用的需求。MIXA20WB1200TED 的工作温度范围广泛(-55°C 至 +175°C),适用于严苛的工业和汽车环境。
另外,该模块的封装形式为TO-247,提供了良好的热管理和机械稳定性。其低栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)有助于减少开关损耗,提高开关速度,从而进一步提升系统效率。这些特性使得MIXA20WB1200TED 在高功率密度和高效率的应用中表现优异。
MIXA20WB1200TED 适用于多种高功率应用,包括工业电机驱动、逆变器、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电动汽车充电设备以及储能系统。由于其优异的热性能和高频开关能力,该模块也常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。此外,MIXA20WB1200TED 还适用于高频电源转换器和功率因数校正(PFC)电路。
SiC MOSFET模块:Cree / Wolfspeed 的 C3M0065090J、STMicroelectronics 的 SCT20N120、Infineon Technologies 的 IMW120R048M1H