时间：2025/8/6 6:11:44
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MIXA20WB1200TED 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的功率MOSFET模块，专门设计用于高功率密度和高效率的电力电子应用。该器件采用先进的碳化硅（SiC）技术，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的系统，如工业电机驱动、可再生能源系统和电动汽车充电设备。
类型：功率MOSFET模块
材料：碳化硅（SiC）
漏极-源极电压（Vds）：1200V
连续漏极电流（Id）：20A
最大功耗（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
导通电阻（Rds(on)）：典型值为 80mΩ
栅极电荷（Qg）：典型值为 45nC
输入电容（Ciss）：典型值为 1800pF
MIXA20WB1200TED 采用碳化硅（SiC）技术，具有显著的性能优势。其低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该模块的高频开关能力使得设计者能够使用更小的无源元件，从而减小了整体系统的尺寸和重量。
该器件的高击穿电压（1200V）和较大的连续漏极电流（20A）使其能够应对高功率应用的需求。MIXA20WB1200TED 的工作温度范围广泛（-55°C 至 +175°C），适用于严苛的工业和汽车环境。
另外，该模块的封装形式为TO-247，提供了良好的热管理和机械稳定性。其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而进一步提升系统效率。这些特性使得MIXA20WB1200TED 在高功率密度和高效率的应用中表现优异。
MIXA20WB1200TED 适用于多种高功率应用，包括工业电机驱动、逆变器、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、电动汽车充电设备以及储能系统。由于其优异的热性能和高频开关能力，该模块也常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。此外，MIXA20WB1200TED 还适用于高频电源转换器和功率因数校正（PFC）电路。
SiC MOSFET模块：Cree / Wolfspeed 的 C3M0065090J、STMicroelectronics 的 SCT20N120、Infineon Technologies 的 IMW120R048M1H
