时间：2025/5/26 19:50:09
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FN21N331J500PAG 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻、开关速度和耐压能力等方面表现出色，适合高频和高效能的应用环境。
其封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够提供良好的散热性能，同时具备较高的电流承载能力。
型号：FN21N331J500PAG
类型：N沟道MOSFET
VDS（漏源极电压）：30V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
ID（连续漏极电流）：76A
Qg（栅极电荷）：35nC
fsw（最大工作频率）：1MHz
封装：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FN21N331J500PAG 的主要特性包括：
1. 低导通电阻（RDS(on)），有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高额定电流（ID），使其能够支持大功率应用。
3. 快速开关速度，适合高频开关应用场景。
4. 小型封装设计，节省电路板空间。
5. 较宽的工作温度范围，能够在恶劣环境下可靠运行。
6. 具备出色的热稳定性和电气性能，延长使用寿命。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
FN21N331J500PAG 可用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动中的桥式电路或半桥电路。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 电信设备中的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
7. 各种消费类电子产品中的高效功率转换方案。
IRFZ44N, FDP55N20, STP75NF06L
