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MIXA10WB1200TMH 发布时间 时间:2025/8/6 0:03:47 查看 阅读:28

MIXA10WB1200TMH 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)推出的碳化硅(SiC)功率模块,适用于高功率、高频率的应用。该模块集成了 SiC MOSFET 和肖特基二极管,具有高效能和低导通损耗的特点。其设计目标是满足工业电机驱动、可再生能源系统和电动汽车充电设备等高要求应用场景的需求。

参数

类型:SiC 功率模块
  电压:1200V
  电流:10A
  封装类型:TO-247
  导通电阻:120mΩ
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  最大功耗:2.5W

特性

MIXA10WB1200TMH 具有多种显著特性,首先,其采用碳化硅技术,能够提供比传统硅基器件更高的效率和更低的开关损耗。这种特性使其非常适合用于高频开关应用,同时也能减少散热需求,提高系统可靠性。
  其次,该模块集成了 SiC MOSFET 和肖特基二极管,使得设计更加紧凑,并减少了外围元件的需求。这种集成设计有助于提高整体系统效率并减少 PCB 空间占用。
  此外,MIXA10WB1200TMH 具有宽工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行,适用于如工业自动化和电动汽车充电等苛刻的应用场景。模块的封装设计也优化了热管理和电气性能,确保在高功率运行时的稳定性。
  最后,该器件支持多种工作模式,并具有良好的短路和过热保护能力,提高了系统的安全性和可靠性。

应用

MIXA10WB1200TMH 主要用于高功率和高频应用,例如工业电机驱动、可再生能源系统中的逆变器、电动汽车充电设备以及储能系统的功率转换模块。由于其高效率和紧凑的设计,它也非常适合用于需要高功率密度和轻量化的电源系统中。此外,该模块还可以应用于不间断电源(UPS)、智能电网设备和高效率 DC-DC 转换器等场合。

替代型号

MIXA10WB1200TSC、MIXA10WB1200TH、MIXA10WB1200TMA

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MIXA10WB1200TMH参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型PT
  • 配置三相反相器,带制动器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)17 A
  • 功率 - 最大值63 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V,9A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)100 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)-
  • 输入三相桥式整流器
  • NTC 热敏电阻
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳MiniPack2
  • 供应商器件封装MiniPack2