时间：2025/7/31 18:32:18
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MIP2C10MP 是一款由 Microchip Technology 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：典型值 4.5mΩ（在 Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：约 70nC
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AB
MIP2C10MP 的核心特性包括其低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
此外，该器件具有优异的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下可靠运行。
其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
MIP2C10MP 的封装设计有助于良好的散热，适用于高功率密度设计。
该 MOSFET 还具有良好的短路耐受能力，增强了其在严苛工况下的可靠性。
器件的栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路设计，便于集成到各种应用中。
MIP2C10MP 被广泛应用于多种电源管理领域，包括但不限于：
工业电源系统中的 DC-DC 转换器设计。
电动工具和电动车辆中的电机驱动电路。
电池管理系统中的充放电控制电路。
高功率负载开关和电源分配系统。
服务器和电信设备中的高效率电源模块设计。
IPB075N15N3, STP30NF10, IRF1405
