类型：PNP
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：150V
　　集电极-基极电压（VCBO）：150V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：最小40，最大300（测试条件IC=10mA, VCE=10V）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23 (TO-236AB)
　　安装类型：表面贴装（SMD）

8550SL-D-AE3-R具备优异的高频响应能力和稳定的直流放大性能，使其在模拟信号处理和高速开关应用中表现出色。其典型的过渡频率（fT）达到100MHz，意味着该晶体管能够在射频前端、高频振荡器以及宽带放大器中有效工作。同时，由于其低噪声特性和良好的线性度，在小信号放大电路如音频前置放大器、传感器信号调理电路中也具有广泛应用价值。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围宽泛，典型值在40至300之间，确保在不同负载条件下仍能维持稳定的放大能力。更重要的是，该增益在温度变化和电流波动下仍保持较高的一致性，提升了整个系统的稳定性与可靠性。此外，其最大集电极电流为100mA，足以驱动继电器、LED指示灯、小型蜂鸣器等常见负载，满足大多数低功耗开关需求。
　　8550SL-D-AE3-R采用SOT-23封装，体积小巧，热阻适中，能够有效散热并适应紧凑型设计要求。该封装还具备良好的电气隔离性能和机械强度，适合回流焊和波峰焊工艺。器件符合无铅（Pb-free）制造标准，满足现代电子产品对环保法规的要求。同时，其高击穿电压（150V）使它能在较高电压环境中安全运行，适用于DC-DC转换器反馈控制、高压侧开关等场合。
　　此外，该晶体管具有较低的饱和压降（VCE(sat)），通常在IC=50mA, IB=5mA时仅为0.25V左右，这有助于减少导通损耗，提高电源效率。其快速开关特性也减少了动态功耗，提升了整体能效表现。综合来看，8550SL-D-AE3-R是一款高性能、高可靠性的通用型PNP晶体管，特别适合需要兼顾速度、效率与空间限制的应用场景。

8550SL-D-AE3-R常用于各类中小功率电子系统中的信号放大与开关控制功能。典型应用场景包括：音频放大电路中的前级或驱动级，用于增强微弱信号；在数字逻辑接口电路中实现电平转换或驱动能力扩展，例如将微控制器输出信号放大以控制外部负载；作为继电器、LED或小型电机的驱动开关元件，尤其适用于需要高压操作的场合。
　　此外，它也被广泛应用于电源管理系统中，如线性稳压器的调整管、DC-DC变换器的反馈控制级、过压保护电路中的检测与关断机制等。由于其高击穿电压和良好的温度稳定性，该器件可在工业控制设备、汽车电子模块、通信接口单元等恶劣环境下可靠运行。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能手表等便携设备中，8550SL-D-AE3-R凭借其小型化封装和低功耗特性，被用于背光调节、传感器使能控制、电池电量检测等功能模块。同时，其高频特性也使其适用于射频识别（RFID）、无线传感网络节点等需要一定频率响应能力的场景。
　　在测试测量仪器中，该晶体管可用于构建精密电流源、有源负载或缓冲级电路，提升系统精度与响应速度。总之，得益于其多功能性、高可靠性与易于获取的特点，8550SL-D-AE3-R已成为众多工程师在设计通用模拟与数字接口电路时的首选器件之一。

MMBT5551, BC850C, 2N5551, FMMT555