类型：MOSFET驱动器
　　供电电压范围：4.5V 至 28V
　　输出电流：±2A（典型值）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.35Ω（高低边之和）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：16引脚TSSOP
　　输入逻辑电平：兼容3.3V、5V逻辑
　　死区时间控制：支持
　　保护特性：欠压锁定（UVLO）、过热保护（OTP）
　　开关频率：可支持高达1MHz的开关频率

MIC5801BVTR是一款双通道、高边N沟道MOSFET驱动器，专为高性能电源转换系统而设计。其核心特性之一是宽广的供电电压范围，允许在4.5V至28V之间工作，使其适用于多种电源拓扑结构。该器件的输出驱动能力高达±2A，能够快速驱动大功率MOSFET，从而减少开关损耗，提高系统效率。MIC5801BVTR内部集成了高低边驱动电路，并具有死区时间控制功能，有效防止上下桥臂同时导通导致的直通电流问题，提升系统稳定性。
　　该驱动器具备多种保护机制，如欠压锁定（UVLO）和过热保护（OTP），确保在异常条件下器件能够自动关闭，避免损坏。此外，其输入逻辑兼容3.3V和5V信号，便于与各种控制器（如MCU、DSP或PWM控制器）接口连接。封装方面，MIC5801BVTR采用16引脚TSSOP封装，具有良好的热管理能力，适用于紧凑型高功率密度设计。
　　MIC5801BVTR的高集成度和强大的驱动能力使其成为工业电源、DC-DC转换器、同步整流、电机控制和电池管理系统等应用的理想选择。其优异的抗干扰能力也使其在电磁环境复杂的场合中表现稳定。

MIC5801BVTR主要应用于需要高边N沟道MOSFET驱动的场合，包括但不限于：同步整流DC-DC转换器、半桥/全桥功率变换器、电机驱动控制器、高功率LED驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业电源设备以及各种负载开关和功率管理模块。由于其高可靠性和宽电压范围，该器件也常用于汽车电子和工业自动化领域。

MIC5801BM（SSOP封装）；NCP5802DR2G；IRS2104S；LM5109B-Q1/NOPB；TC4420