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MIC4469YWM TR 发布时间 时间:2025/8/12 2:43:28 查看 阅读:6

MIC4469YWM TR是一款由Microchip Technology生产的高性能双路MOSFET驱动器集成电路。该器件专为驱动N沟道和P沟道MOSFET设计,适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。MIC4469YWM TR采用先进的CMOS工艺制造,具备高速开关能力和低功耗特性,同时提供宽泛的工作电压范围,确保在不同工作条件下都能稳定运行。

参数

型号:MIC4469YWM TR
  类型:双路MOSFET驱动器
  供电电压:4.5V 至 18V
  输出电流:±1.2A(峰值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:TSSOP
  引脚数:16
  传播延迟:最大25ns
  上升/下降时间:5ns(典型值)
  输入逻辑类型:TTL/CMOS兼容
  输出配置:双路独立输出

特性

MIC4469YWM TR具有多项显著的技术特性,确保其在各种应用中的可靠性和性能。首先,该器件支持宽输入电压范围(4.5V至18V),使其适用于多种电源系统设计。这种灵活性使得它能够用于不同的MOSFET驱动应用,包括高侧和低侧驱动。其双路独立输出设计允许用户同时驱动两个MOSFET,适用于半桥、全桥或同步整流拓扑等结构。
  其次,MIC4469YWM TR具有快速的开关能力,典型上升和下降时间为5ns,最大传播延迟仅为25ns。这使得该驱动器非常适合用于高频开关应用,例如DC-DC转换器、电机驱动器或电源管理系统,能够有效减少开关损耗并提高系统效率。
  此外,该器件采用CMOS工艺制造,具有低功耗特性,并在高负载条件下保持稳定的性能。其TTL/CMOS兼容的输入逻辑使其可以轻松与各种控制器或微处理器接口连接,简化了系统设计。16引脚TSSOP封装形式提供了良好的散热性能和空间节省,适用于紧凑型电路板布局。
  最后,MIC4469YWM TR内置的保护功能包括欠压锁定(UVLO),以确保在电源电压不足时不驱动MOSFET,防止系统出现不稳定或损坏。该器件的工作温度范围为-40°C至+125°C,适用于工业级和汽车级应用。

应用

MIC4469YWM TR广泛应用于需要高效MOSFET驱动的各种电子系统中。其典型应用场景包括DC-DC降压或升压转换器、同步整流器、电机控制驱动电路、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备、电源管理单元(PMU)以及各种开关电源(SMPS)设计。
  在DC-DC转换器中,MIC4469YWM TR可以高效驱动高侧和低侧MOSFET,提高转换效率并减少热量产生。在电机控制应用中,该器件可用于H桥驱动电路,实现电机的双向控制。此外,该芯片也适用于电源管理系统,例如在服务器、通信设备和嵌入式系统中作为MOSFET驱动器,确保电源切换的稳定性和可靠性。
  由于其高耐压能力和宽工作温度范围,MIC4469YWM TR也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电池管理系统和车载电源转换器等应用。在这些环境中,该器件能够在极端温度条件下保持稳定运行,并提供良好的电磁兼容性(EMC)性能。

替代型号

MIC4469YWM TR的替代型号包括MIC4468YWM TR、TC4420EOA TR、LM5101BMYX/NOPB、IRS2001STRPBF等。

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MIC4469YWM TR参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型反相和非反相
  • 延迟时间35ns
  • 电流 - 峰1.2A
  • 配置数4
  • 输出数4
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 18 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装16-SOIC
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MIC4469YWMTRMIC4469YWMTR-ND