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CM75E3U-24H 发布时间 时间:2025/9/29 19:10:44 查看 阅读:7

CM75E3U-24H是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的高功率工业用IGBT模块,广泛应用于中大功率电力电子变换设备中。该模块属于富士Electric第七代IGBT技术平台的产品,具备低功耗、高可靠性以及出色的热性能表现。CM75E3U-24H采用三相全桥拓扑结构,内部集成了6个IGBT芯片和6个反并联续流二极管,构成一个完整的三相桥式电路,适用于变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器及工业电机控制系统等应用场景。模块封装形式为EasyPIM标准封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,便于安装与维护。此外,该模块内置NTC温度传感器,可用于实时监测模块内部温度,提升系统安全性与控制精度。CM75E3U-24H的额定电压为1200V,额定电流为75A,开关频率适中,适合在工业环境下长期稳定运行。其优化的芯片设计降低了导通损耗和开关损耗,提高了整体能效。该模块还具备较强的抗短路能力和优秀的雪崩耐量,能够在瞬态过载或异常工况下保持较高的鲁棒性。由于采用了先进的焊接和键合工艺,CM75E3U-24H在热循环寿命和功率循环能力方面表现出色,适用于需要高可靠性和长寿命的工业应用场合。

参数

型号:CM75E3U-24H
  制造商:Fuji Electric
  器件类型:IGBT模块
  拓扑结构:三相全桥(6-in-1)
  集电极电流 Ic (TC=80°C):75A
  集电极-发射极击穿电压 VCES:1200V
  栅极-发射极电压 VGES:±20V
  工作结温范围 TJ:-40°C 至 +150°C
  存储温度范围 Tstg:-40°C 至 +125°C
  最大功耗 Pc:400W
  导通电压 VCE(sat) @ Ic=75A, VGE=15V:约2.1V
  反向恢复时间 trr:典型值 55ns
  热阻 Rth(j-c):0.35°C/W(每个IGBT)
  封装类型:EasyPIM
  是否集成NTC:是

特性

CM75E3U-24H采用富士电机第七代IGBT芯片技术,显著提升了器件的开关特性和导通性能。该模块在设计上优化了载流子分布和电场调控,有效降低了导通压降VCE(sat),从而减少了导通损耗,提高了系统效率。同时,通过改进栅极结构和掺杂工艺,实现了更快的开关速度和更低的开关能量损耗(Eon和Eoff),使得模块在中高频工作条件下仍能保持较低温升。其反并联二极管也经过特别优化,具有快速软恢复特性,可减少电磁干扰(EMI)并降低二极管反向恢复引起的尖峰电压,提升系统可靠性。
  该模块具备优异的热管理能力,得益于其低热阻Rth(j-c)设计和高性能陶瓷基板材料(如氮化铝或氧化铝),能够高效地将芯片热量传导至散热器。EasyPIM封装结构不仅增强了机械强度,还提高了绝缘性能和防潮能力,适应恶劣工业环境。模块内部引线采用高可靠性铝线键合工艺,确保在高电流冲击和温度循环下仍能保持稳定连接。
  CM75E3U-24H内置NTC热敏电阻,通常位于模块中心位置,可准确反映IGBT芯片的最高结温,便于控制系统实现过热保护、温度补偿和风扇调速等功能。此外,该模块具有良好的短路耐受能力,在规定的栅极驱动电压下可承受数微秒的短路电流而不损坏,增强了系统的故障应对能力。模块还具备较高的隔离电压,满足工业安全标准要求,适用于多种接地配置的系统。
  在制造工艺方面,CM75E3U-24H采用全自动生产线和严格的质量控制流程,确保每批次产品的一致性和可靠性。其无铅兼容设计符合RoHS环保标准,支持现代绿色制造需求。总体而言,CM75E3U-24H是一款面向中高端工业应用的高性能IGBT模块,兼顾效率、可靠性与易用性,是变频驱动和电源转换系统的理想选择。

应用

CM75E3U-24H广泛应用于各类中大功率电力电子系统中,尤其适用于需要高效、高可靠性的工业变频控制场合。其主要应用领域包括通用交流变频器,用于调节三相异步电机的转速和转矩,广泛服务于风机、水泵、压缩机等节能控制场景。在伺服驱动系统中,该模块可提供快速响应和精确的电流控制能力,满足自动化生产线、数控机床和机器人等高动态性能需求。
  在可再生能源领域,CM75E3U-24H常用于光伏并网逆变器中,作为DC-AC功率转换的核心器件,将太阳能电池板产生的直流电高效转换为符合电网标准的交流电。其低损耗特性和良好的热稳定性有助于提升逆变器的整体转换效率和长期运行可靠性。
  此外,该模块也适用于不间断电源(UPS)系统,特别是在在线式双变换UPS中,承担整流和逆变双重功能,保障关键负载的持续供电。在电焊机、感应加热和电镀电源等工业电源设备中,CM75E3U-24H凭借其高耐压和强过载能力,能够稳定工作在复杂负载条件下。
  由于其集成度高、外围电路简洁,CM75E3U-24H还能简化系统设计,减少PCB布局复杂度,提高整机功率密度。配合合适的驱动电路和散热设计,可在-40°C至+85°C的环境温度范围内长期稳定运行,适用于各种严苛工业环境。

替代型号

SE75FDP120H

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CM75E3U-24H参数

  • 标准包装3
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.7V @ 15V,75A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)11nF @ 10V
  • 功率 - 最大600W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块