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MIC4452BM TR 发布时间 时间:2025/8/11 12:19:03 查看 阅读:15

MIC4452BM TR 是由Microchip Technology生产的一款高性能、双通道、高速MOSFET驱动器集成电路。该芯片专为驱动N沟道和P沟道MOSFET设计,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统等领域。MIC4452BM TR采用双路非反相配置,能够提供高驱动电流和快速的上升/下降时间,确保高效、稳定的功率转换性能。

参数

供电电压:4.5V 至 18V
  输出电流:每个通道最高可达1.2A(峰值)
  传播延迟:小于50ns
  上升/下降时间:典型值为15ns(10%至90%)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:8引脚 SOIC
  输入逻辑类型:TTL/CMOS兼容
  驱动器类型:双通道非反相

特性

MIC4452BM TR具备多项优良特性,使其成为高效率功率转换应用的理想选择。首先,其宽输入电压范围(4.5V至18V)允许在多种电源条件下稳定运行,适用于多种拓扑结构,如同步整流、H桥和推挽式电路。该芯片的两个通道独立控制,支持灵活的驱动配置,满足不同MOSFET的驱动需求。
  其次,MIC4452BM TR具有快速的响应能力,传播延迟低于50ns,上升和下降时间仅为15ns左右,显著减少开关损耗并提高系统效率。这对于高频开关应用至关重要。此外,该芯片内置的欠压锁定(UVLO)功能可防止在低电压条件下运行,避免MOSFET损坏并提升系统可靠性。
  另一个显著特点是其强大的输出驱动能力,每个通道可提供高达1.2A的峰值电流,足以驱动大功率MOSFET,确保在高负载条件下仍能保持稳定性能。MIC4452BM TR的TTL/CMOS兼容输入使其能够轻松与各种控制器(如MCU或PWM控制器)接口,简化系统设计。
  最后,该器件采用8引脚SOIC封装,具备良好的热性能和空间利用率,适用于紧凑型设计和高密度电路布局。结合其宽工作温度范围(-40°C至+125°C),MIC4452BM TR可在恶劣工业环境中稳定运行。

应用

MIC4452BM TR广泛应用于各种电力电子系统中,尤其适用于需要高效、高速驱动MOSFET的场合。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理模块、电池充电系统、UPS不间断电源、工业自动化设备以及汽车电子系统。在这些应用中,MIC4452BM TR能够提供稳定可靠的MOSFET驱动,确保系统高效运行并减少能量损耗。

替代型号

TC4420AOA TR, IR2001S, NCP8104DR2G, FAN3240TMSX

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MIC4452BM TR参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间15ns
  • 电流 - 峰12A
  • 配置数1
  • 输出数1
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 18 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MIC4452BMTR