电源电压范围：4.5V 至 20V
　　输出电流能力：1.2A（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：4 引脚 DFN
　　高侧电压能力：最高 100V
　　输入信号兼容性：TTL 和 CMOS
　　导通延迟时间：约 18ns
　　关断延迟时间：约 13ns
　　驱动器类型：高侧/低侧 MOSFET 驱动器
　　工作频率：支持高达 2MHz

MIC4034YM4TR 具备多项优异特性，首先其高侧和低侧驱动器均可提供高达 1.2A 的峰值输出电流，能够快速驱动大功率 MOSFET，从而减少开关损耗并提高系统效率。该芯片支持宽输入电压范围（4.5V 至 20V），适用于多种电源设计需求。
　　此外，MIC4034YM4TR 集成了欠压锁定（UVLO）功能，确保在电源电压不足时关闭输出，防止 MOSFET 出现不稳定工作状态。其内部采用自举电路设计，无需额外的高压电源，简化了电路布局和设计复杂度。
　　该器件还具备出色的抗噪声干扰能力，采用浮动高侧设计，可承受高达 100V 的电压。同时，其低传输延迟（典型导通延迟为 18ns，关断延迟为 13ns）和匹配的通道间延迟差异（<5ns）保证了高频率开关操作的同步性和稳定性，适用于高频变换器和谐振转换器等应用。
　　MIC4034YM4TR 采用 4 引脚 DFN 封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的热性能，可在 -40°C 至 +125°C 的工业级温度范围内可靠工作。

MIC4034YM4TR 主要用于需要高效驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 的功率电子系统中。典型应用包括同步降压/升压转换器、半桥和全桥 DC-DC 转换器、电机控制电路、功率因数校正（PFC）模块、LED 驱动器以及工业电源系统。由于其高耐压能力和高频驱动性能，该芯片也常用于新能源系统，如光伏逆变器、电动汽车充电模块和储能系统中的功率转换电路。
　　此外，MIC4034YM4TR 还适用于需要高可靠性和高效率的电源管理应用，例如服务器电源、通信设备电源、数字电源系统等。其紧凑的封装形式和宽输入电压范围也使其适用于便携式设备和嵌入式系统的电源管理单元。

Si8235BB-D-ISR, IRS2004PBF, LM5112MMX/NOPB