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S29GL512T11DHB010 发布时间 时间:2025/12/25 23:25:46 查看 阅读:13

S29GL512T11DHB010是一款由Cypress Semiconductor(已被Infineon Technologies收购)生产的3.0V仅命令集闪存存储器芯片,属于其32位GL系列的一部分。该器件采用先进的MirrorBit技术,提供高密度、高性能的非易失性存储解决方案。S29GL512T11DHB010的存储容量为512兆位(即64兆字节),组织结构为32M x 16位,适用于需要大容量代码存储和数据记录的应用场景。该芯片支持多种封装形式,其中DHB代表其采用64引脚FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,具有较小的占板面积,适合空间受限的设计。其工作电压范围为2.7V至3.6V,兼容低功耗系统设计,并具备宽温度范围选项,可在工业级温度条件(-40°C至+85°C)下稳定运行。
  该器件支持高速异步读取操作,访问时间低至55纳秒,能够满足实时系统对快速启动和执行代码的需求。它内置了先进的写保护机制,包括软件数据锁定功能和硬件写保护引脚(WP#),有效防止意外擦除或写入操作,提升系统可靠性。此外,S29GL512T11DHB010支持扇区擦除、块擦除和整片擦除等多种擦除模式,允许用户灵活管理存储区域。通过使用标准的JEDEC接口命令集,该芯片可与广泛的微处理器和微控制器无缝对接,简化系统集成过程。Cypress为其提供了完整的开发工具链和技术文档支持,便于客户进行产品评估和固件开发。

参数

型号:S29GL512T11DHB010
  制造商:Cypress Semiconductor (Infineon)
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:512 Mbit (64 MB)
  组织结构:32M x 16位
  工艺技术:MirrorBit
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  封装类型:64-ball FBGA (DHB)
  引脚数量:64
  最大时钟频率:无(异步接口)
  读取访问时间:55ns / 90ns 可选
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  编程/擦除耐久性:100,000次循环
  数据保持时间:20年 @ 最高工作温度
  接口类型:并行异步
  是否支持QE位:否(非QSPI)
  是否有底层保护:是(Top/Bottom Boot Block)

特性

S29GL512T11DHB010具备多项先进特性,使其在嵌入式系统中表现出色。首先,其采用的MirrorBit技术利用每个单元存储两个独立比特的物理结构,显著提升了存储密度,同时降低了制造成本。这种创新结构不仅提高了单位面积内的存储容量,还增强了器件的可靠性和耐久性。其次,该芯片支持高性能异步读取操作,典型访问时间为55ns,使得CPU可以直接从闪存中执行代码(XIP, eXecute In Place),从而减少对外部RAM的依赖,优化系统启动时间和运行效率。
  第三,该器件提供了全面的写保护机制。除了硬件写保护引脚WP#可在外部控制写入操作外,还支持软件控制的数据锁定功能,允许用户将特定扇区设置为只读状态,防止关键固件被误修改。此外,设有Vpp引脚用于增强编程电压保护,在电源不稳定的情况下仍能确保操作安全。
  第四,S29GL512T11DHB010支持灵活的擦除和编程方式。用户可以选择对单个扇区(大小为64KB)、多个块(如8KB小块)或整个芯片进行擦除操作,极大提升了存储管理的灵活性。编程操作以字(word)为单位,最小编程单位为16位,支持自动加载算法实现高效烧录。
  第五,该芯片符合工业级环境要求,能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作,适用于恶劣工业环境下的应用。同时,其EBGA封装具有良好的热性能和机械稳定性,适合自动化贴装工艺。最后,该器件完全兼容JEDEC标准命令集,无需专用控制器即可与主流MPU/MCU连接,降低系统设计复杂度。

应用

S29GL512T11DHB010广泛应用于需要高可靠性、大容量非易失性存储的嵌入式系统领域。在工业控制系统中,常用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)设备和远程I/O模块中,用于存储固件、配置参数及历史数据记录。在网络通信设备中,如路由器、交换机和基站控制器,该芯片可用于存放启动代码(Bootloader)、操作系统镜像以及运行日志信息,支持快速启动和现场升级(FOTA)。
  在消费类电子产品方面,适用于高端机顶盒、数字电视、智能家庭网关等设备,作为主程序存储介质,保障系统长期稳定运行。汽车电子领域也是其重要应用场景之一,例如车载信息娱乐系统(IVI)、仪表盘控制模块和ADAS(高级驾驶辅助系统)中的固件存储,得益于其宽温特性和高抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中可靠工作。
  此外,医疗设备制造商也倾向于采用此类工业级Flash芯片,用于超声仪、监护仪等设备中保存校准数据、操作日志和诊断程序。军事与航空航天领域同样对其青睐有加,因其具备较长的数据保持能力和较强的抗辐射潜力,适合部署于长时间无人维护的野外或高空平台。总体而言,S29GL512T11DHB010凭借其大容量、高速度、强保护机制和广泛兼容性,成为众多高端嵌入式系统的理想选择。

替代型号

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S29GL512T11DHB010参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,600 : ¥104.62072托盘
  • 系列GL-T
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页60ns
  • 访问时间110 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-LBGA
  • 供应商器件封装64-FBGA(9x9)