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MHW910 发布时间 时间:2025/9/3 8:51:25 查看 阅读:10

MHW910是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)推出的高性能射频功率晶体管,专为工业、科学和医疗(ISM)频段应用设计。该器件采用先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,具有高效率、高增益和高可靠性等特点,适用于射频能量应用,如射频加热、射频等离子体生成、射频焊接等。MHW910能够在900MHz频段附近工作,支持高输出功率,是一款广泛应用于射频功率放大器设计的晶体管。

参数

频率范围:800MHz - 1000MHz
  输出功率:典型值100W(CW模式)
  增益:典型值20dB
  效率:典型值70%
  工作电压:50V
  封装形式:TO-247AB
  阻抗匹配:50Ω输入,50Ω输出
  热阻:典型值0.5°C/W
  最大漏极电流:5.5A

特性

MHW910采用先进的LDMOS技术,具有出色的线性度和稳定性,能够在高温和高功率条件下可靠运行。该器件的高效率特性使其在射频功率应用中具有较低的功耗和发热,从而延长了系统寿命并提高了能效。此外,MHW910具有良好的热管理和高耐久性,适合在恶劣环境条件下使用。
  其高增益特性减少了对前级驱动功率的需求,降低了系统设计的复杂性和成本。该晶体管还具备良好的输入和输出匹配能力,简化了射频电路的设计和集成。MHW910支持连续波(CW)和脉冲操作模式,适用于多种射频能量转换和通信应用。
  在热管理方面,MHW910通过优化的封装设计实现了较低的热阻,使得器件在高功率运行时仍能保持稳定的温度。这不仅提高了器件的长期可靠性,也降低了对散热系统的要求,从而实现更紧凑的系统设计。

应用

MHW910广泛应用于射频能量系统、工业射频加热设备、医疗射频治疗设备、等离子体发生器、射频焊接机、射频测试设备以及各种射频功率放大器模块。由于其高性能和高可靠性,MHW910也常用于科研实验和高频能量转换系统中。

替代型号

MHW910S1R2, MHW910S1R3, MHW910S1R5

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