MHW910 时间：2025/9/3 8:51:25 阅读：25

MHW910是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能射频功率晶体管，专为工业、科学和医疗（ISM）频段应用设计。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具有高效率、高增益和高可靠性等特点，适用于射频能量应用，如射频加热、射频等离子体生成、射频焊接等。MHW910能够在900MHz频段附近工作，支持高输出功率，是一款广泛应用于射频功率放大器设计的晶体管。

参数

频率范围：800MHz - 1000MHz
　　输出功率：典型值100W（CW模式）
　　增益：典型值20dB
　　效率：典型值70%
　　工作电压：50V
　　封装形式：TO-247AB
　　阻抗匹配：50Ω输入，50Ω输出
　　热阻：典型值0.5°C/W
　　最大漏极电流：5.5A

特性

MHW910采用先进的LDMOS技术，具有出色的线性度和稳定性，能够在高温和高功率条件下可靠运行。该器件的高效率特性使其在射频功率应用中具有较低的功耗和发热，从而延长了系统寿命并提高了能效。此外，MHW910具有良好的热管理和高耐久性，适合在恶劣环境条件下使用。
　　其高增益特性减少了对前级驱动功率的需求，降低了系统设计的复杂性和成本。该晶体管还具备良好的输入和输出匹配能力，简化了射频电路的设计和集成。MHW910支持连续波（CW）和脉冲操作模式，适用于多种射频能量转换和通信应用。
　　在热管理方面，MHW910通过优化的封装设计实现了较低的热阻，使得器件在高功率运行时仍能保持稳定的温度。这不仅提高了器件的长期可靠性，也降低了对散热系统的要求，从而实现更紧凑的系统设计。