电容值：470pF
　　容差：±5%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　尺寸代码：0805（2012 公制）
　　长度：2.0mm ±0.2mm
　　宽度：1.25mm ±0.2mm
　　厚度：≤1.25mm
　　介质材料：X7R
　　端接类型：Ni/Sn（镍/锡）
　　包装形式：编带（C）
　　耐温性能：满足X7R标准（ΔC/C ≤ ±15% over temperature）
　　绝缘电阻：≥40GΩ 或 R×C ≥ 1000S（取较大值）
　　耐电压：1.5倍额定电压，1分钟无击穿或闪络
　　等效串联电阻（ESR）：低，典型值在MHz频段下为数毫欧至数十毫欧量级
　　自谐振频率（SRF）：取决于具体应用电路，通常在数百MHz范围内

CL21C471JBNC所采用的X7R介电材料是一种稳定的铁电陶瓷配方，能够在宽温度范围内提供相对恒定的电容值。其核心优势在于温度稳定性，确保在-55°C至+125°C的工作区间内，电容值的变化幅度不超过初始值的±15%。这一特性使其非常适合用于对温度漂移敏感的应用场景，例如模拟信号链中的滤波电路、参考电压旁路以及开关电源输出端的稳定化设计。X7R材质相较于Y5V或Z5U等高介电常数材料，虽然单位体积下的电容密度较低，但其电气性能更加线性，电压系数和频率依赖性更小，因此在需要长期可靠性和一致性的系统中更具优势。
　　该电容器具备优异的机械强度和热循环耐受能力。其多层结构由交替堆叠的陶瓷介质与内电极（通常为镍或铜）构成，经过高温共烧形成一体化的固态结构，能够有效抵抗热应力引起的开裂问题。在实际应用中，尤其是在经历多次回流焊或环境温度剧烈变化的条件下，CL21C471JBNC表现出良好的抗弯曲和抗振动性能，降低了因PCB形变导致的失效风险。此外，其Ni/Sn端子提供了优良的可焊性与长期连接可靠性，避免了银迁移等问题，同时兼容主流SMT生产工艺。
　　电气方面，该器件具有低等效串联电阻（ESR）和适度的等效串联电感（ESL），使其在中高频范围内仍能保持较高的阻抗抑制能力，适用于去耦和噪声滤除功能。尽管其电容值仅为470pF，但在GHz以下频段仍可有效发挥作用，特别是在高速数字电路中作为局部电源去耦电容，有助于减少高频噪声传播并提升系统稳定性。整体而言，CL21C471JBNC是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的通用型MLCC，在现代电子产品中扮演着关键角色。

CL21C471JBNC广泛应用于多种电子系统中，主要作为去耦、旁路、滤波和信号耦合电容使用。在数字电路设计中，它常被放置于集成电路（如微控制器、FPGA、ASIC等）的电源引脚附近，用于吸收瞬态电流波动，稳定供电电压，防止因电源噪声引发的逻辑错误或系统复位。其低ESR特性和良好的高频响应能力使其在高频开关环境下依然能够有效工作，尤其适合用于DC-DC转换器、LDO稳压器的输入输出滤波网络中，帮助平滑电压纹波并提升电源效率。
　　在通信设备领域，该电容器可用于射频前端模块的偏置电路去耦、本地振荡器电源滤波以及阻抗匹配网络中的耦合元件。由于其X7R材料具备较好的温度稳定性，可在不同气候条件下维持电路性能一致性，适用于基站、无线路由器、物联网终端等产品。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中，CL21C471JBNC凭借小型化封装和高可靠性，被大量用于主板上的各种模拟与数字子系统中，支持高密度布局需求。
　　工业控制和汽车电子也是其重要应用方向。在工业自动化设备中，该电容可用于PLC模块、传感器接口电路和人机交互单元中，提升系统的抗干扰能力和运行稳定性。虽然该型号并非AEC-Q200认证的车规级器件，但在非关键车载应用（如车载信息娱乐系统、辅助照明控制等）中仍有使用。此外，在医疗电子、测试测量仪器和电源适配器等对可靠性有一定要求的场合，CL21C471JBNC也因其成熟工艺和稳定供货而受到工程师青睐。

GRM21BR71H471KA01L
　　CC0805KRX7R9BB471
　　C2012X7R1H471K