MHW806A4 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的功率 MOSFET 模块,主要用于高功率、高频率的电力电子应用中。该模块基于碳化硅(SiC)技术,具备优异的热性能和高效的电能转换能力,适用于工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器等领域。MHW806A44 内部集成了多个 SiC MOSFET 芯片,采用半桥拓扑结构,提供双路输出能力。
类型:SiC MOSFET 模块
拓扑结构:半桥
最大漏极电流(ID):100A
最大漏源电压(VDS):1200V
导通电阻(RDS(on)):80mΩ
封装形式:双列直插式(DIP)
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
MHW806A4 采用先进的碳化硅材料,具备极低的导通损耗和开关损耗,能够在高频条件下保持高效率。该模块的内部结构设计优化了热管理,能够有效降低工作温度,提高系统可靠性。此外,MHW806A4 具有高短路耐受能力,确保在极端工况下仍能稳定运行。
MHW806A4 的半桥拓扑结构使其适用于多种功率变换拓扑,如 LLC 谐振变换器、图腾柱 PFC(功率因数校正)电路等。其高耐压能力和低导通电阻使其在高压、大功率系统中具有显著优势。此外,该模块具有良好的绝缘性能和电磁兼容性,适用于高要求的工业和汽车应用环境。
MHW806A4 常用于高功率密度电源系统、电动汽车车载充电器(OBC)、直流快充设备、光伏逆变器、储能系统、工业电机驱动和UPS不间断电源等应用。其高效的能量转换能力和稳定的性能使其成为现代电力电子系统中的关键组件。
MHW806A4 的替代型号包括 Microchip 的 MHW806A3 和 MHW806A5,以及英飞凌(Infineon)的 IMZ120R080M1H 和意法半导体(STMicroelectronics)的 SCT3040KL。