IRSF4321 时间：2025/12/26 21:02:02 阅读：18

IRSF4321是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换和功率开关应用设计。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，具备低导通电阻、高电流处理能力和优异的热性能，适用于多种工业、消费类及汽车电子系统中的开关控制场景。IRSF4321在小尺寸封装中实现了出色的电气特性，使其成为空间受限但对性能要求较高的应用的理想选择。其主要特点包括低栅极电荷、快速开关速度以及良好的抗雪崩能力，能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗和导通损耗，从而提升整体系统效率。此外，该MOSFET还具备高可靠性，在高温环境下仍能稳定运行，适合用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理系统等关键电路中。器件符合RoHS环保标准，并通过了严格的生产质量控制流程，确保批量应用时的一致性和稳定性。

参数

型号：IRSF4321
　　制造商：Infineon Technologies
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大连续漏极电流(ID)：85A
　　最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：340A
　　最大导通电阻(RDS(on))：3.6mΩ @ VGS=10V, 4.8mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷(Qg)：27nC @ VDS=24V, ID=42.5A
　　输入电容(Ciss)：2290pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PG-TSDSON-8

特性

IRSF4321采用英飞凌先进的TrenchMOS工艺技术，具有极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下典型值仅为3.6mΩ，有效降低了大电流下的导通损耗，提升了电源系统的整体能效。该器件的低Qg（栅极电荷）特性使其在高频开关应用中表现出色，减少了驱动电路所需的功耗，同时加快了开关速度，有助于减小外围滤波元件的尺寸，提高功率密度。其优化的晶圆结构设计增强了热稳定性与电流承载能力，即便在极端负载条件下也能维持可靠运行。
　　该MOSFET具备优良的热阻性能，结合PG-TSDSON-8小型无引脚封装，支持高密度PCB布局并可通过底部散热焊盘实现高效散热。这种封装形式不仅节省空间，还提升了机械强度和焊接可靠性，特别适用于自动化贴片生产工艺。器件的工作结温可达+175°C，表明其在高温环境或持续高负载工况下仍能保持性能稳定，适用于严苛的应用场景如车载电子或工业控制设备。
　　IRSF4321还具备较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抑制能力，能够承受一定程度的电压瞬变和感性负载关断时的能量冲击，提高了系统鲁棒性。内置体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=28ns），进一步降低了开关过程中的交叉导通风险和电磁干扰（EMI）。所有这些特性共同使IRSF4321成为高性能同步整流、多相电压调节模块（VRM）、电动工具电池包保护电路以及便携式设备电源管理中的优选器件。