MHW2723 时间：2025/9/3 4:18:16 阅读：9

MHW2723 是一款由 Renesas（瑞萨）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高功率密度的场合。这款器件设计用于在高压和大电流条件下提供优异的性能，适用于诸如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用。MHW2723 采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，使其在高功率应用中表现出色。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：30V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：120A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为2.3mΩ（在Vgs=10V）
　　封装类型：PowerPAK SO-8
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　最大功耗(Pd)：3.5W
　　栅极电荷(Qg)：45nC
　　漏极-源极击穿电压(BVdss)：30V

特性

MHW2723 的一个显著特点是其极低的导通电阻 (Rds(on))，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有高电流承载能力，能够在高温度条件下保持稳定运行，这使其适用于高负载环境。其先进的封装技术（PowerPAK SO-8）不仅提供了良好的热管理，还节省了PCB空间，适用于紧凑型设计。
　　MHW2723 还具有快速开关能力，能够有效减少开关损耗，从而进一步提高能效。这种特性在高频开关应用中尤为重要，例如DC-DC转换器和PWM（脉宽调制）控制电路。此外，该MOSFET具有较高的抗雪崩能力，能够在过载或瞬态条件下提供额外的可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或12V驱动电压，使其能够与多种控制电路兼容。MHW2723 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下维持稳定的电气性能，从而延长使用寿命。

应用

MHW2723 主要应用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中。其典型应用包括同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，由于其高可靠性和优异的热性能，MHW2723 也常用于汽车电子系统、服务器电源、UPS（不间断电源）以及电信基础设施设备中。