GL4800E0000F 是一款由 GSI Technology 公司生产的高性能异步静态随机存取存储器(Async SRAM)。该器件设计用于需要高速数据访问和低功耗应用的场景,如网络设备、工业控制系统、通信设备和嵌入式系统等。GL4800E0000F 采用先进的CMOS技术制造,提供可靠的数据存储解决方案,并具有出色的抗干扰能力和稳定性。
容量:8K x 8(64K位)
组织方式:x8
电源电压:3.3V(典型值)
访问时间:10ns、12ns、15ns(根据型号后缀不同)
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装类型:28引脚 SOIC 或 TSOP
输入/输出电平:兼容TTL
封装尺寸:300mil(SOIC)或更小(TSOP)
封装材料:塑料封装
GL4800E0000F 异步SRAM具有多项显著特性,首先是其高速访问能力,能够满足10ns的快速访问时间,适用于对时延敏感的应用。该器件使用先进的CMOS工艺制造,具有较低的静态和动态功耗,非常适合对功耗敏感的设计。同时,该SRAM具备异步控制功能,无需外部时钟信号即可操作,简化了系统设计。芯片内部结构优化,提高了数据读写可靠性,并具有良好的抗静电和抗干扰能力。此外,GL4800E0000F 支持全地址范围内的数据随机访问,为复杂的数据处理提供了灵活的存储方案。
另一个重要特点是其封装形式的多样性,用户可以选择28引脚SOIC或TSOP封装,适用于不同的PCB布局需求。该器件符合工业级温度标准,可在恶劣环境下稳定运行。GSI Technology 提供了完整的技术支持文档,包括详细的数据手册、应用指南和封装尺寸图,便于工程师快速集成到系统中。GL4800E0000F 还具备自动省电模式,在没有访问操作时自动进入低功耗状态,进一步延长设备的电池寿命或降低系统功耗。
对于需要长期稳定运行的系统来说,GL4800E0000F 提供了优异的可靠性保障。其CMOS结构和优化的制造工艺确保了长寿命和高耐久性,适合用于工业自动化、通信基础设施和高端嵌入式设备等关键领域。
GL4800E0000F 主要应用于需要高速数据存取和稳定性能的电子系统中。例如,它常被用在网络交换机和路由器中的缓存存储器,用于临时存储数据包;在工业控制器中,用于存储运行时的临时变量和程序数据;在通信设备中,作为高速缓冲存储器支持数据处理和转发。此外,该器件也适用于测试设备、医疗电子设备、航空航天系统和智能卡读写器等应用场景。由于其低功耗和工业级温度适应性,也广泛用于便携式设备和户外环境下的嵌入式系统。
AS7C364-10TC, CY62148EV30LL-10T, IDT71V016S10PFG, ISSI IS61LV25616ALBLL-10B