时间：2025/7/23 18:55:21
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MHT8N20是一款高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高电压和高效率的开关应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有优异的导通电阻和开关性能，适合用于电源转换、DC-DC转换器、电机控制以及各种工业和消费类电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：200V
最大漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.3Ω（在Vgs=10V）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V至3V
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
MHT8N20具有低导通电阻特性，有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的高压能力使其适用于200V的工作电压环境，适合在高电压开关应用中使用。此外，MHT8N20具有较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其快速开关特性也有助于降低开关损耗，提高整体系统性能。由于采用TO-220封装，MHT8N20具备良好的散热性能，适用于中高功率应用。
MHT8N20还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态电压或过载条件下提供更高的耐用性。此外，其栅极驱动要求较低，可与常见的驱动电路兼容，简化了设计和应用过程。
MHT8N20广泛应用于各种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、LED驱动器以及工业自动化控制系统。其高压特性和良好的导通性能也使其适用于电池管理系统和新能源设备中的功率控制部分。
IRF840、FQP8N20、STP8NM20、SiHP8N20
