MHPM7A16A120B 是一款由东芝(Toshiba)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块,专为高功率应用设计。这款模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,使其在高电压和大电流条件下表现出色。MHPM7A16A120B 采用先进的芯片技术和封装设计,提供了出色的热管理和可靠性,适用于工业电机驱动、变频器、可再生能源系统以及电动汽车等应用场景。
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
最大集电极电流(IC):160A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
短路耐受能力:典型值为10μs
导通压降(VCE_sat):约2.1V(在IC=160A时)
输入电容(Cies):约3500pF
输出电容(Coes):约650pF
反向恢复时间(trr):约1.2μs
封装形式:双列直插式模块(DIP)
绝缘等级:符合UL认证,绝缘电压≥2500V
MHPM7A16A120B IGBT模块具有多项先进的技术特性,确保其在高功率应用中的卓越性能。
首先,该模块的最大集电极-发射极电压为1200V,最大集电极电流为160A,能够承受高电压和大电流的工作条件,适用于高功率密度设计。其导通压降(VCE_sat)在满载条件下仅为约2.1V,有效降低了导通损耗,提高了整体效率。
其次,该模块具备良好的短路耐受能力,典型值为10μs,能够在短时间的过载或短路情况下保持稳定工作,提高了系统的可靠性和安全性。
此外,模块的输入电容(Cies)约为3500pF,输出电容(Coes)约为650pF,使得开关速度较快,降低了开关损耗,适用于高频开关应用。
模块的反向恢复时间(trr)约为1.2μs,确保了在高频开关条件下的稳定运行,减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI)。
在封装方面,MHPM7A16A120B采用双列直插式模块(DIP)封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于高功率密度和紧凑型设计需求。其绝缘等级符合UL认证,绝缘电压≥2500V,确保了模块在高压环境下的安全运行。
综上所述,MHPM7A16A120B是一款高性能的IGBT功率模块,适用于各种高功率应用,提供了优异的电气性能、热管理和可靠性。
MHPM7A16A120B IGBT模块广泛应用于多个高功率电子系统中,主要涉及工业自动化、电力电子变换器、可再生能源系统以及电动汽车等领域。
在工业自动化领域,该模块常用于高性能变频器和伺服驱动器中,用于控制交流电机的转速和扭矩,提供高效、稳定的电机驱动解决方案。
在电力电子变换器中,MHPM7A16A120B适用于直流-交流逆变器和交流-直流整流器,广泛用于不间断电源(UPS)、工业电源和焊接设备等应用中。
在可再生能源系统中,该模块可用于太阳能逆变器和风力发电变流器,将可再生能源转换为可用的交流电能并馈入电网,确保高效率和稳定的能量转换。
此外,MHPM7A16A120B也广泛应用于电动汽车和混合动力汽车的电驱系统中,作为电机控制器的核心功率器件,负责高效驱动电动机并实现能量回收功能。
由于其优异的电气性能和可靠性,该模块也适用于其他高功率密度和高效率要求的电子系统,如电能质量调节设备、智能电网系统等。
SKM150GB12T4, FS150R12KT4, CM150DY-12H