工作频率：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：典型值30 W（连续波）
　　增益：≥ 12 dB
　　效率：≥ 50%
　　工作电压：+28 V DC
　　封装类型：金属陶瓷封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　驻波比（VSWR）：输入 ≤ 2.0:1，输出 ≤ 2.5:1

MHPA21030 拥有出色的射频性能和可靠性，其基于 GaN 技术的晶体管结构提供了更高的功率密度和更宽的带宽。这使得该器件能够在高频率范围内保持稳定的输出功率和增益。模块内部集成了输入匹配网络和输出匹配网络，简化了外部电路设计，减少了整体系统的复杂性。
　　此外，MHPA21030 具有良好的热稳定性，采用了高导热性的封装材料，确保在高功率运行下仍能维持较低的结温，从而提高器件的寿命和稳定性。该模块还具备良好的抗负载失配能力，能够在不同的负载条件下保持稳定工作，防止因失配导致的损坏。
　　在效率方面，MHPA21030 表现出色，能够实现高达50%以上的功率附加效率（PAE），这在高功率射频应用中尤为重要，有助于降低系统功耗并减少散热需求。

MHPA21030 主要用于各种高性能射频和微波系统中，包括无线基站、4G/5G 通信系统、WiMAX 基站、雷达发射模块、工业测试设备、广播系统和卫星通信设备等。由于其宽频带特性和高输出功率，它也非常适合用于多频段或多标准无线通信系统中的功率放大模块。

MHPA21030 可以被 MHPA21050 或 MHPA21130 替代，具体取决于所需的输出功率和频率范围。其他替代方案包括 Cree/Wolfspeed 的 CGH40030 或类似的 GaN 功率放大器模块。