容量：4GB
　　内存类型：High Bandwidth Memory (HBM2)
　　封装类型：FCBGA（Flip-Chip Ball Grid Array）
　　数据速率：2.4 Gbps
　　电压：1.3V
　　带宽：96 GB/s
　　堆叠层数：4层
　　接口：HBM2接口
　　工作温度范围：0°C至+95°C
　　制造商：SK Hynix

H5AN4G4NMFR-TFC具有多项显著的技术特点。首先，它采用HBM2标准，提供高达2.4 Gbps的数据传输速率，使得整体内存带宽可达96 GB/s，非常适合需要大量数据吞吐的应用。其次，该内存模块采用4层堆叠结构，通过硅通孔（TSV）技术实现层间互连，大大减少了内存模块的物理尺寸，同时提高了电气性能。
　　此外，该芯片使用FCBGA封装技术，确保与处理器之间的高效连接，同时降低了信号延迟和功耗。其工作电压为1.3V，在保证高性能的同时，优化了能耗效率，适用于对功耗敏感的高性能计算设备。
　　H5AN4G4NMFR-TFC还支持高级的热管理功能，能够在高达95°C的环境温度下稳定运行，适用于高密度、高功耗的计算平台。其模块化设计也使得系统设计者可以灵活地扩展内存容量和带宽，以满足不同应用场景的需求。

H5AN4G4NMFR-TFC广泛应用于高性能计算（HPC）、人工智能加速器、图形处理单元（GPU）、深度学习训练和推理系统、网络设备以及高端游戏显卡等领域。在HPC中，该内存模块为复杂的科学计算、仿真和数据分析提供了必要的高速数据访问能力。在AI加速器和GPU中，HBM2内存的高带宽特性使得模型训练和推理过程更加快速和高效。此外，该芯片也适用于需要低延迟、高吞吐量的数据中心加速卡和下一代计算架构。

H5AN4G4NMFR-PBC
　　H5AN4G4NMFR-TFC0
　　H5AN4G4NMF-TFC
　　H5AN4G4NMF-PBC