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MHCI06030-150M-R8 发布时间 时间:2025/5/10 12:10:48 查看 阅读:9

MHCI06030-150M-R8 是一款高性能的 N 沱道 MOSFET 功率晶体管,采用 TO-252 (DPAK) 封装形式。该器件适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用场合。它具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高电路效率并降低功耗。
  其主要特点是采用了先进的工艺技术以优化开关性能和热特性,适合中高功率密度的应用需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  总电容:1400pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

MHCI06030-150M-R8 具有非常低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 1.5mΩ,这使得其在高电流应用中表现出色。此外,该器件还拥有较低的栅极电荷,有助于实现快速的开关动作,从而减少开关损耗。
  由于其较高的漏极电流能力和出色的热管理设计,这款 MOSFET 可以在紧凑型系统中提供高效的功率转换解决方案。
  该产品的工作结温范围宽广,能够适应恶劣环境下的运行需求,同时具备良好的可靠性和稳定性。
  另外,MHCI06030-150M-R8 的 DPAK 封装提供了卓越的散热性能,便于将其集成到需要高效冷却的设计之中。

应用

该元器件广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电池管理系统 (BMS)
  4. 工业控制与自动化
  5. 电机驱动与逆变器
  6. 照明驱动(如 LED 驱动)
  7. 通信电源
  这些应用都依赖 MHCI06030-150M-R8 提供的高效率和可靠性来满足严格的性能要求。

替代型号

IRFZ44N
  FDP55N06L
  STP30NF06L

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