MHCI06030-150M-R8 是一款高性能的 N 沱道 MOSFET 功率晶体管,采用 TO-252 (DPAK) 封装形式。该器件适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用场合。它具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高电路效率并降低功耗。
其主要特点是采用了先进的工艺技术以优化开关性能和热特性,适合中高功率密度的应用需求。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:35nC
总电容:1400pF
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
MHCI06030-150M-R8 具有非常低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 1.5mΩ,这使得其在高电流应用中表现出色。此外,该器件还拥有较低的栅极电荷,有助于实现快速的开关动作,从而减少开关损耗。
由于其较高的漏极电流能力和出色的热管理设计,这款 MOSFET 可以在紧凑型系统中提供高效的功率转换解决方案。
该产品的工作结温范围宽广,能够适应恶劣环境下的运行需求,同时具备良好的可靠性和稳定性。
另外,MHCI06030-150M-R8 的 DPAK 封装提供了卓越的散热性能,便于将其集成到需要高效冷却的设计之中。
该元器件广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电池管理系统 (BMS)
4. 工业控制与自动化
5. 电机驱动与逆变器
6. 照明驱动(如 LED 驱动)
7. 通信电源
这些应用都依赖 MHCI06030-150M-R8 提供的高效率和可靠性来满足严格的性能要求。
IRFZ44N
FDP55N06L
STP30NF06L