MH5368F10 时间：2025/9/28 15:55:22 阅读：11

MH5368F10是一款由Magnachip Semiconductor生产的高压、高耐压的MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优异的热稳定性等优点，适用于AC-DC转换器、开关电源（SMPS）、LED照明驱动电源以及各种需要高电压操作的功率管理场景。MH5368F10的额定电压高达680V，能够承受瞬态过压冲击，提升了系统在恶劣工作环境下的可靠性。该器件通常封装于TO-220F或类似功率封装中，具备良好的散热性能，可有效降低热阻，提升长期运行稳定性。Magnachip在其产品文档中强调了该型号在雪崩能量耐受能力方面的优化设计，使其在反激式变换器等拓扑结构中表现出更强的鲁棒性。此外，MH5368F10符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于现代绿色电子产品制造。

参数

型号：MH5368F10
　　最大漏源电压（VDS）：680V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：9.0A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：36A
　　导通电阻（RDS(on)）：max 1.0Ω @ VGS=10V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　功耗（PD）：150W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

特性

MH5368F10采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具有极低的导通电阻，这显著降低了导通损耗，从而提高了电源系统的整体效率。其RDS(on)典型值低于1.0Ω，在高负载条件下仍能保持较低的温升，有助于减少散热器尺寸并降低成本。器件的高击穿电压（680V）使其特别适合用于离线式开关电源设计，尤其是在通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下工作的反激或正激拓扑中，能有效应对线路瞬变和电压尖峰。该MOSFET具备优秀的开关特性，包括快速的上升和下降时间，减少了开关过程中的交越损耗，进一步提升了高频工作的能效表现。
　　MH5368F10还具备出色的雪崩能量耐受能力（EAS），这意味着即使在电感负载突然断开或发生短路的情况下，器件也能吸收一定的能量而不致损坏。这一特性对于提高电源系统的可靠性和寿命至关重要，特别是在没有额外保护电路或保护响应较慢的应用中尤为关键。此外，该器件的栅极电荷（Qg）相对较低，降低了驱动电路的负担，使得控制器可以更轻松地实现高速开关操作，同时减少驱动功耗。
　　热稳定性方面，MH5368F10采用了优化的封装设计，TO-220F封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优良的热传导路径，确保热量能从芯片迅速传递到外部散热环境。其热阻（RθJC）较低，典型值约为0.83°C/W，能够在高功率密度应用中维持安全的工作温度。此外，该器件对dv/dt和di/dt的抗扰度较强，减少了误触发的风险，提升了系统在复杂电磁环境下的稳定性。

应用

MH5368F10广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于适配器、充电器、工业电源模块和LED恒流驱动电源等产品。在反激式转换器中，它作为主开关管使用，能够高效地将交流输入电压转换为稳定的直流输出，支持宽电压输入范围下的稳定运行。由于其高耐压特性，该器件也常用于PFC（功率因数校正）升压级电路中，帮助提升系统的功率因数并满足国际能效标准（如Energy Star、DoE Level VI等）。在家电领域，如空调、洗衣机和微波炉的内置电源中，MH5368F10因其高可靠性和长寿命而被广泛采用。
　　此外，该器件也适用于太阳能逆变器中的DC-DC前级转换部分，以及电信设备的板载电源系统。在工业控制设备中，如PLC、伺服驱动器和HMI终端的辅助电源设计中，MH5368F10凭借其稳定的电气性能和较强的环境适应能力，成为设计师的优选方案。对于需要通过安规认证的产品，该器件符合多项国际安全标准，有助于简化整体系统的认证流程。