容量：256K x 8位
　　电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：85ns
　　封装：48引脚 TSOP
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　功耗：最大工作电流 160mA（典型值）
　　待机电流：10mA（最大）
　　接口类型：并行异步接口

MH25608TNA-85L 的核心优势在于其低功耗设计与高性能的结合，适用于电池供电设备和其他对功耗敏感的应用。该芯片采用异步控制逻辑，无需外部时钟信号，简化了系统设计并提高了稳定性。其异步读写操作模式允许灵活的时序控制，适用于多种微处理器和控制器接口。此外，该SRAM芯片具备高速访问时间（85ns），能够在高速数据存取场合中保持稳定性能。
　　在可靠性方面，MH25608TNA-85L 支持宽温工作范围（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣工业环境中的稳定运行。其低待机电流（最大10mA）和可选的掉电模式进一步增强了节能能力，延长了设备的电池寿命。封装形式为48引脚TSOP，体积小巧，适合空间受限的设计。该芯片在设计上兼容多种主流嵌入式系统架构，便于系统集成和升级。

MH25608TNA-85L 广泛应用于需要高性能和低功耗特性的嵌入式系统，如手持设备、工业控制系统、通信设备、医疗仪器、便携式测试设备以及智能传感器等。它也常用于作为微控制器的外部存储扩展，提供快速的数据缓存和临时存储功能。由于其异步接口和宽温特性，该芯片非常适合用于汽车电子、物联网（IoT）设备以及工业自动化设备中。在需要快速数据存取而功耗受限的场景下，如无线传感器节点和便携式测量仪器，该SRAM芯片同样表现出色。

ISSI IS62LV256-85TLI, Cypress CY62148EVLL-85ZS, Renesas IDT71V416SA85BDA