MGSF1P02LT1G 时间：2025/5/9 17:59:38 阅读：7

MGSF1P02LT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，旨在提供高效的开关性能和低导通电阻。MGSF1P02LT1G通常用于需要高效率和低功耗的应用场景，例如电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。其设计优化了热性能，并具有良好的电气特性，适用于广泛的工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-263 (D2PAK)
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：58A
　　导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：140W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃

特性

MGSF1P02LT1G具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗。
　　2. 高电流承载能力，支持高达58A的连续漏极电流。
　　3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
　　4. 采用TO-263封装，具备出色的散热性能。
　　5. 宽工作温度范围，能够在极端环境下稳定运行。
　　6. 符合RoHS标准，绿色环保。
　　这些特性使得MGSF1P02LT1G成为高性能功率转换和控制的理想选择。

应用

MGSF1P02LT1G广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)，如AC-DC适配器和充电器。
　　2. DC-DC转换器，包括降压和升压拓扑。
　　3. 电机驱动电路，用于控制小型直流或步进电机。
　　4. 负载开关，用作高效电子开关。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 消费类电子产品中的电池管理单元。
　　MGSF1P02LT1G凭借其优异的电气特性和可靠性，能够满足多种功率处理需求。