MGSF1N02ELT1G 时间：2025/5/22 23:27:18 阅读：15

MGSF1N02ELT1G 是一款由 Microchip 生产的 N 沣道晶体管（N-Channel MOSFET），主要用于开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高效能电源转换、负载开关、电机驱动等场合。
　　这款 MOSFET 的封装形式为 LFPAK8 封装，能够提供良好的散热性能和电气特性。由于其出色的性能和可靠性，MGSF1N02ELT1G 在各种工业和消费类电子产品中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：64A
　　导通电阻：1.2mΩ
　　栅极电荷：39nC
　　开关速度：非常快
　　工作温度范围：-55℃ to 175℃

特性

MGSF1N02ELT1G 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 高额定电流能力，支持大电流应用场景。
　　3. 高速开关性能，确保在高频应用中的卓越表现。
　　4. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，同时保持良好的散热性能。
　　5. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设备中。

应用

MGSF1N02ELT1G 适用于多种应用领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率转换。
　　2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
　　3. 电机驱动器中的功率级控制。
　　4. 工业自动化设备中的开关和调节功能。
　　5. 消费类电子产品中的快速充电适配器和便携式设备电源管理。
　　6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理模块。