型号：BSS138
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT723
　　通道数：1
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：2.9A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：11.6A
　　导通电阻(RDS(on))：65mΩ (VGS=10V)
　　导通电阻(RDS(on))：85mΩ (VGS=4.5V)
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V~1.5V
　　输入电容(Ciss)：19pF
　　输出电容(Coss)：8pF
　　反向传输电容(Crss)：2pF
　　栅极电荷(Qg)：4.5nC
　　功率耗散(PD)：500mW
　　工作结温(Tj)：-55°C~+150°C
　　上升时间(tr)：5ns
　　下降时间(tf)：5ns

10045 MOSFET 器件具备多项优异的电气和物理特性，使其在现代低功耗和高密度电子系统中广泛应用。首先，其采用的先进沟道（Trench）技术显著降低了导通电阻 R_DS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了能效。在 V_GS = 10 V 时，R_DS(on) 典型值仅为 65 mΩ，即使在较低的驱动电压（如 4.5 V）下也能保持 85 mΩ 的低阻值，这使得它能够兼容 3.3 V 或 5 V 逻辑电平控制，无需额外的电平转换电路。其次，该器件具有极低的栅极电荷（Q_g = 4.5 nC），这意味着在开关过程中所需的驱动能量非常小，有助于降低驱动 IC 的负担并减少动态损耗，特别适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 变换器和负载开关。
　　此外，10045 的输入电容（C_iss）仅为 19 pF，输出电容（C_oss）为 8 pF，反向传输电容（C_rss）为 2 pF，这些低电容特性不仅提升了开关速度，还减少了米勒效应的影响，增强了器件在高频工作下的稳定性。其快速的上升时间和下降时间（均为约 5 ns）进一步证明了其卓越的开关性能，有助于实现更紧凑的滤波设计和更高的系统响应速度。在可靠性方面，10045 具备宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C），可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。同时，该器件通过了 AEC-Q101 认证，表明其满足汽车电子组件的严格可靠性要求。封装方面，SOT723 是一种超小型表面贴装封装，占用 PCB 面积极小，有利于实现高密度布局，尤其适合移动设备和可穿戴电子产品。此外，该器件符合 RoHS 和无铅标准，支持绿色环保制造工艺。综合来看，10045 凭借其低导通电阻、低电容、快速开关、小封装和高可靠性，成为现代电源管理和信号切换应用中的优选器件。

10045 广泛应用于便携式消费类电子产品中的电源管理与信号切换场景。典型应用包括智能手机和平板电脑中的电池供电路径管理、多电源选择开关、USB 接口电源控制以及 LED 背光驱动电路。由于其低导通电阻和小封装特性，常用于负载开关电路中，实现对不同功能模块的上电和断电控制，以降低待机功耗，延长电池续航时间。在 DC-DC 转换器中，10045 可作为同步整流管使用，替代传统二极管以提高转换效率，尤其适用于降压型（Buck）变换器的低边开关。此外，它也常用于隔离电路中的电平转换和信号路由，例如 I2C 总线缓冲器或 GPIO 扩展器之间的电压域隔离，确保不同电压逻辑之间的安全通信。在可穿戴设备如智能手表、无线耳机中，10045 因其微型封装和低静态功耗而被广泛采用，有助于实现轻薄化设计。工业领域中，该器件可用于传感器模块的电源控制、PLC 输入输出接口的驱动，以及小型电机的控制电路。在汽车电子中，得益于其 AEC-Q101 认证，10045 被应用于车载信息娱乐系统的电源管理、车身控制模块（BCM）中的灯光控制和车窗升降驱动等场景。此外，它还可用于热插拔电路、过流保护电路和电池充电管理系统中，作为控制开关元件。其高可靠性和稳定的温度特性使其能够在恶劣环境下长期运行。总体而言，10045 是一种通用性强、适应面广的 N 沟道 MOSFET，适用于需要高效、小型化和低功耗解决方案的各种电子系统。

BSS138AK
　　BSS138LT1G
　　FDV301N