MGMB15H2-2450B18是一款微波功率晶体管,专为高频率应用而设计。该型号属于MGM系列,适用于S波段雷达、卫星通信以及军事电子设备中的功率放大器模块。
它采用了先进的GaAs(砷化镓)或GaN(氮化镓)技术制造,能够提供较高的输出功率和增益,同时具备良好的线性度和效率表现。这种器件通常以裸芯片形式交付,需要用户自行封装或者焊接至微带线路板上使用。
频率范围:2.4GHz~2.6GHz
输出功率:35W(典型值)
增益:12dB(典型值)
饱和输出功率:40W(最小值)
电源电压:12V
静态电流:4A
工作温度:-40℃~+85℃
MGMB15H2-2450B18的主要特点包括:
1. 高输出功率密度,在2.4GHz到2.6GHz范围内可实现高达40W的饱和输出功率。
2. 采用高效的材料技术(如GaN),具有优秀的热稳定性和可靠性。
3. 在宽频带内保持稳定的增益性能,适合多频段应用场景。
4. 具备低互调失真特性,非常适合对信号质量要求较高的通信系统。
5. 支持表面贴装工艺,便于集成到小型化射频模块中。
6. 内置匹配网络,简化了外部电路设计并提高了整体效率。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 雷达系统中的发射机部分,例如天气雷达、空中交通管制雷达等。
2. 卫星通信地面站设备,用于上行链路的功率放大功能。
3. 无线宽带接入点及基站,尤其是需要高功率输出的小型蜂窝系统。
4. 医疗成像设备,如磁共振成像(MRI)系统的RF激励源。
5. 测试测量仪器,例如矢量信号发生器或功率计校准装置。
MGMB15H1-2450B18, MGMB15H3-2450B18