时间：2025/8/1 16:39:51
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CRST113N20N是一款N沟道功率MOSFET，广泛用于各种电源管理及功率控制应用中。这款器件采用了先进的沟槽式技术，使其在导通电阻、开关速度和热性能方面表现出色。CRST113N20N的设计使其适用于高效能电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等。其封装形式通常为TO-220或DPAK，方便在高功率应用中进行散热管理。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：110A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.013Ω（最大）
功率耗散(Pd)：250W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
CRST113N20N具有低导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗。该器件的高栅极电荷特性使其适合高频开关应用，同时其耐高压能力使其能够在200V的漏源电压下稳定工作。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不会出现性能下降。器件的沟槽式结构还提供了较低的漏电流和优异的开关性能，使其在电源管理和功率转换应用中表现出色。此外，CRST113N20N的封装设计有助于提高散热效率，从而延长器件的使用寿命并提高系统可靠性。
CRST113N20N广泛应用于各类电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统和电机控制电路。它还适用于高功率开关电源、工业自动化设备、电动工具、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等应用。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动车动力系统以及车载电源管理模块。由于其高可靠性和优异的热性能，CRST113N20N也常用于需要长时间高负载运行的工业设备中。
IRF1404, STP110N8F7AG, FDP110N10A
