MGF4921AM 是一款由 Mitsubishi(现为 Renesas)制造的高频双栅极MOS场效应晶体管(DG-MOSFET),专为UHF和VHF频段的高增益、低噪声放大器应用设计。这款器件采用了先进的硅栅极技术,具备出色的线性度和稳定性,适用于电视调谐器、有线电视系统、无线通信设备以及各种高频信号处理场景。
类型:双栅极MOSFET
频率范围:最高可达1GHz
IDSS(漏源饱和电流):典型值10mA @ VGS = 0V
VDS(漏源电压):最大25V
VDG(漏栅电压):最大25V
VGS(栅源电压):±20V
Pd(功耗):最大300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
MGF4921AM 具备两个独立可控的栅极(G1和G2),允许对信号进行精细控制,从而实现卓越的增益调节和线性性能。
该器件采用了小型化封装技术,确保在高频操作下的稳定性和可靠性,同时减小了寄生电容和电阻的影响,提高了整体性能。
其低噪声系数(NF)使其非常适合用于前端接收系统中作为第一级放大器,有效提高信噪比并减少信号失真。
此外,MGF4921AM具有良好的互调失真(IMD)性能,在多载波系统中表现出色,适合应用于复杂的射频环境中。
MGF4921AM 常见于高性能电视调谐器、CATV(有线电视)放大器、无线基站前端放大器、UHF/VHF收发模块以及其他需要高频、低噪声放大的电子系统中。
它还被广泛用于测试仪器、频谱分析仪和射频信号发生器等高端测量设备中,以确保精确的信号采集和处理。
由于其优异的线性度和稳定性,该器件也适用于要求严格的工业与通信基础设施应用。
BF998, BF991, MGF1302