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FQP7N65C 发布时间 时间:2025/5/16 14:10:13 查看 阅读:27

FQP7N65C 是一款 N 沣道场效应晶体管(MOSFET),属于 Fairchild(现为 ON Semiconductor)公司生产的功率 MOSFET 系列。该器件采用 TO-220 封装,适用于高电压和高电流的应用场景,例如开关电源、电机驱动、逆变器和 DC-DC 转换器等。这款 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频条件下实现高效的功率转换。
  FQP7N65C 的最大漏源极电压为 650V,适合在高压环境中工作,并且具有较高的雪崩击穿能力,能够承受短时间的过压或过流冲击。

参数

最大漏源极电压:650V
  连续漏极电流:10.8A
  栅极电荷:45nC
  导通电阻(典型值):1.3Ω
  总功耗:175W
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

1. 高电压能力:FQP7N65C 的漏源极耐压高达 650V,非常适合应用于高压电路环境。
  2. 快速开关性能:其低栅极电荷和低导通电阻设计使得开关速度更快,有助于减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力:具备强大的雪崩击穿能力,可承受瞬时过压情况下的应力。
  4. 稳定性:即使在极端温度范围内也能保持稳定的电气性能。
  5. 应用灵活性:由于其高性能指标,这款 MOSFET 可广泛用于各种功率转换和控制应用中。

应用

1. 开关电源(SMPS):
  FQP7N65C 常用于开关电源的主开关管,能够高效地处理高电压输入并提供稳定的输出。
  2. 电机驱动:
  可用于驱动直流无刷电机或步进电机,支持高电压操作并提供精确的电流控制。
  3. 逆变器:
  在光伏逆变器和其他类型的逆变器中作为功率开关使用,实现高效的电能转换。
  4. DC-DC 转换器:
  在汽车电子和工业设备中的 DC-DC 转换模块中发挥重要作用,确保稳定高效的电压调节功能。

替代型号

FQP7P65C, IRFP260N, STP75NF06L

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FQP7N65C参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 欧姆 @ 3.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1245pF @ 25V
  • 功率 - 最大160W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件