时间：2025/7/18 23:59:32
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MDF13N50BTH 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用 TO-220F 封装，适用于各种电源管理、电机控制和 DC-DC 转换器等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：13A
最大漏-源电压 (VDS)：500V
最大栅-源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：典型值 0.36Ω @ VGS = 10V
功率耗散 (PD)：75W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
MDF13N50BTH 的设计使其在高电压和高电流环境下表现出色，具有出色的热稳定性和可靠性。
该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻，从而降低功耗和提高效率。
其高耐压特性使其适用于高达 500V 的电力系统，如电源供应器、电机驱动和照明控制。
此外，该器件的封装设计有助于快速散热，提高系统稳定性，延长使用寿命。
内置的快速恢复二极管也提升了其在高频开关应用中的表现，减少了开关损耗并提高了整体效率。
该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力和高抗短路能力，适用于严苛的工作环境。
MDF13N50BTH 常用于电源转换器、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器、电机控制电路、开关电源 (SMPS) 和 LED 照明驱动器等高功率应用。
它也广泛用于工业自动化系统和消费类电子产品中的功率管理模块。
由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适合用于需要高可靠性和高效率的电源设计。
在电动车充电器、家电控制板以及工业电源系统中也有广泛应用。
MDF13N50BTH 可以用以下型号替代：MDF13N50BHG、MDF13N50E、MDF15N50BTH、MDF13N50EFG。
