时间：2025/12/27 8:45:28
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MGBR6V45C是一款由Magnachip Semiconductor生产的高电压、高电流肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），专为高效能电源转换系统设计。该器件采用先进的平面硅技术制造，能够在高温和高应力工作环境下保持稳定性能，适用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及各种工业和消费类电子设备中的整流与续流应用。MGBR6V45C具有低正向导通压降（VF）和快速反向恢复特性，有助于显著降低功率损耗，提高整体系统效率。其最大重复反向电压（VRRM）为45V，平均整流电流可达6A，适合中等功率密度的应用场景。该器件封装于紧凑的TO-277（DPAK）表面贴装封装中，具备良好的热传导性能，便于在PCB上实现自动化装配，并有效管理热分布。此外，MGBR6V45C符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代高可靠性电子产品对环境友好型元器件的需求。由于其优异的电气特性和坚固的结构设计，该二极管在通信电源、笔记本适配器、LED驱动电源等领域得到了广泛应用。
型号：MGBR6V45C
器件类型：肖特基势垒二极管
最大重复反向电压（VRRM）：45V
平均整流电流（IO）：6A
峰值浪涌电流（IFSM）：100A
正向压降（VF）：典型值0.58V（在6A, 25°C条件下）
最大正向压降（VF(max)）：0.65V（在6A, 25°C）
反向漏电流（IR）：最大30μA（在45V, 25°C）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
热阻（RθJC）：约3.5°C/W
封装形式：TO-277（DPAK）
安装方式：表面贴装（SMD）
MGBR6V45C的核心优势在于其卓越的低正向压降特性，在6A大电流下仍能维持低于0.65V的VF值，这显著减少了导通期间的能量损耗，从而提升了电源系统的整体能效。相较于传统PN结二极管，肖特基结构避免了少数载流子的存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎可忽略的反向恢复时间（trr），有效抑制了高频开关过程中因反向恢复电荷引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），使该器件特别适用于高频DC-DC变换器和同步整流辅助电路。
该器件采用TO-277封装，具有较低的热阻特性，能够将内部产生的热量高效传递至PCB，增强了长期运行的热稳定性。其金属-半导体结结构对温度变化较为敏感，但通过优化芯片设计和封装工艺，MGBR6V45C在高温工作条件下的反向漏电流控制得当，在125°C时IR仍可控制在较低水平，确保高温环境下的可靠性。
此外，该二极管具备良好的抗浪涌能力，可承受高达100A的峰值非重复浪涌电流，提升了系统在启动或瞬态过载情况下的鲁棒性。产品经过严格的质量认证和可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，确保在严苛工业环境中长期稳定运行。其表面贴装封装形式支持自动化回流焊工艺，适用于现代高密度PCB布局，节省空间的同时提升生产效率。
MGBR6V45C广泛应用于各类中高效率电源管理系统中，尤其适合用于低压大电流输出的开关电源整流环节。例如，在笔记本电脑适配器、台式机ATX电源、LCD电视和显示器电源模块中，作为次级侧同步整流的辅助二极管或自由轮流二极管使用，以降低功耗并提升转换效率。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可用于续流路径，利用其快速响应特性减少开关节点振荡，改善动态响应性能。
在太阳能微型逆变器和LED恒流驱动电源中，MGBR6V45C凭借其低VF和高可靠性，有助于延长系统寿命并减少散热需求。通信设备中的板载电源（POL）也常采用此类肖特基二极管进行电压钳位和反向保护。此外，该器件还可用于电池充电管理电路、UPS不间断电源、工业控制电源单元以及家用电器中的AC-DC转换模块。由于其具备较强的抗浪涌能力和宽温度工作范围，也适用于户外或恶劣环境下的电力电子装置。
SB645CT\SB645\MBR645CT\MBR645A
