类型：肖特基势垒二极管
　　封装形式：TO-247
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：30A
　　反向重复峰值电压（VRRM）：60V
　　正向压降（VF）：典型值0.58V（在30A, 125°C条件下）
　　最大正向压降（VF(max)）：0.70V（在30A, 125°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大50μA（在25°C）；最大10mA（在125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　储存温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：典型值1.5°C/W
　　引脚数：3
　　安装类型：通孔安装

MGBR30V60C的核心优势在于其低正向导通压降与高电流承载能力的结合，这使得它在大功率低电压输出场景下表现尤为出色。在典型的30A工作电流下，其正向压降仅为0.58V左右，远低于传统硅PN结二极管的0.9~1.2V水平，从而大幅减少了导通损耗，提升了电源转换效率。这种低VF特性对于DC-DC降压变换器中的续流二极管或同步整流辅助二极管尤为重要，有助于实现更高的能效等级，尤其是在服务器电源、通信电源等对能效要求严苛的应用中。
　　该器件采用优化的芯片结构设计，有效控制了反向漏电流的增长趋势。尽管肖特基二极管普遍存在漏电流随温度升高而显著增加的问题，但MGBR30V60C通过改进的金属-半导体接触工艺，在125°C高温环境下仍能将反向漏电流控制在10mA以内，确保了高温工况下的可靠性。同时，其高达175°C的最大结温允许器件在高负载或通风不良环境中长期稳定运行，增强了系统的鲁棒性。
　　TO-247封装不仅提供了优良的电气绝缘性能（全隔离型），还具备较低的热阻（典型1.5°C/W），便于将芯片产生的热量高效传导至外部散热器，防止局部过热导致的性能下降或失效。三引脚设计支持凯尔文连接方式，可用于精确监测芯片温度或优化驱动回路布局。此外，器件内部无金-铝互连，避免了“紫斑”问题，提高了长期使用的可靠性。MGBR30V60C还具备良好的抗浪涌能力，能够承受短时过电流冲击，适用于存在频繁启停或负载突变的电力系统。其快速恢复特性几乎无反向恢复电荷（Qrr接近零），消除了开关过程中的反向恢复损耗和电磁干扰（EMI），进一步提升了系统效率与EMC性能。

MGBR30V60C主要用于各类高效率、大电流的电源转换系统中。在开关模式电源（SMPS）中，常作为次级侧的整流二极管使用，特别是在低压大电流输出（如3.3V、5V、12V）的拓扑结构中，发挥其低导通压降的优势，减少发热并提升效率。在DC-DC转换器，尤其是非隔离式降压（Buck）和升压（Boost）电路中，该器件可用作续流二极管，确保电感电流连续，同时降低能量损耗。由于其快速响应特性，也适用于高频工作的电源模块，如用于数据中心、电信基站和工业控制设备的高密度电源单元。
　　在太阳能光伏逆变器系统中，MGBR30V60C可用于防反接保护电路或旁路二极管功能，防止电池板在阴影遮挡时产生热斑效应，保障系统安全。在不间断电源（UPS）和应急电源系统中，该器件参与AC-DC和DC-AC转换环节的整流与续流任务，保证电能平稳转换。此外，电动车辆充电设备、LED驱动电源、焊接设备和电机驱动器中也能见到其身影，承担高频率开关下的能量回馈与钳位功能。得益于其宽泛的工作温度范围和高可靠性，MGBR30V60C也适用于户外或工业环境下的严苛应用场景。

MBR30H60CT