时间：2025/5/22 22:50:04
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AOSD26313C是一款由Alpha and Omega Semiconductor（万代半导体）生产的MOSFET器件，属于超低导通电阻的功率MOSFET。它采用先进的工艺制程，适用于高效率、高密度的开关电源设计和负载开关应用。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，并且支持高频工作条件。
该MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管，封装形式为SOT-23-3L，适合空间受限的应用场景。由于其出色的性能表现，AOSD26313C广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：3.9A
导通电阻(Rds(on))：75mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷(Qg)：3.7nC
总电容(Ciss)：120pF
反向传输电容(Crss)：3.3pF
功耗(PD)：1.4W（TA=25℃）
工作温度范围(Topr)：-55℃ to +150℃
AOSD26313C的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，可实现更低的传导损耗和更高的系统效率。
2. 小巧的SOT-23-3L封装，非常适合便携式和空间受限的应用。
3. 支持高频开关操作，适合DC-DC转换器、降压电路以及其他高速开关应用场景。
4. 具备优秀的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
5. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
AOSD26313C的设计使其成为高性能、小体积应用的理想选择。
AOSD26313C广泛用于以下应用场景：
1. 消费电子中的负载开关和电源管理模块。
2. 移动设备和便携式设备中的高效DC-DC转换器。
3. 工业自动化控制中的信号切换。
4. 计算机外设和网络设备中的电源管理。
5. LED驱动器中的开关元件。
6. 电池管理系统中的保护开关。
由于其高效的性能和紧凑的封装形式，这款MOSFET特别适合需要小型化和高性能的场合。
AOD26313C, AOZD26313C
