STD4NK50 时间：2025/7/22 13:34:25 阅读：8

STD4NK50是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高电压和高电流的应用场景，具有优异的导通特性和快速开关性能。由于其高可靠性和强大的耐用性，该MOSFET被广泛用于电源管理、工业控制和消费类电子设备中。STD4NK50采用TO-220AB封装形式，这种封装不仅提供了良好的散热能力，还便于安装在散热片上。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.5Ω（最大值为3.2Ω）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

STD4NK50具备多项显著特性，使其在多种应用中表现出色。首先，该MOSFET具有低导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其次，其快速开关特性使其适用于高频开关电路，减少开关损耗并提升整体性能。此外，该器件的高耐压能力使其在高压环境中运行可靠，能够承受较大的电压应力。STD4NK50的热稳定性良好，可以在较高温度条件下长时间工作，确保系统的稳定性和耐用性。此外，TO-220AB封装提供了优异的散热性能，有助于将器件产生的热量迅速传导至外部环境，从而延长器件的使用寿命。最后，该MOSFET具有较高的抗过载能力，在短时间过载情况下仍能保持正常工作。

应用

STD4NK50广泛应用于多种高电压和高电流场景，包括但不限于开关电源、电机驱动器、逆变器、电池充电器和DC-DC转换器等。此外，它还被用于工业自动化设备、消费类电子产品（如电视和电源适配器）以及汽车电子系统中。在这些应用中，STD4NK50能够提供可靠的功率控制和高效的电能转换，确保设备的稳定运行。