STD4NK50是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高电压和高电流的应用场景,具有优异的导通特性和快速开关性能。由于其高可靠性和强大的耐用性,该MOSFET被广泛用于电源管理、工业控制和消费类电子设备中。STD4NK50采用TO-220AB封装形式,这种封装不仅提供了良好的散热能力,还便于安装在散热片上。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):500V
栅源电压(VGS):±30V
漏极电流(ID):4A
导通电阻(RDS(on)):典型值为2.5Ω(最大值为3.2Ω)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220AB
STD4NK50具备多项显著特性,使其在多种应用中表现出色。首先,该MOSFET具有低导通电阻,能够有效降低功率损耗,提高系统效率。其次,其快速开关特性使其适用于高频开关电路,减少开关损耗并提升整体性能。此外,该器件的高耐压能力使其在高压环境中运行可靠,能够承受较大的电压应力。STD4NK50的热稳定性良好,可以在较高温度条件下长时间工作,确保系统的稳定性和耐用性。此外,TO-220AB封装提供了优异的散热性能,有助于将器件产生的热量迅速传导至外部环境,从而延长器件的使用寿命。最后,该MOSFET具有较高的抗过载能力,在短时间过载情况下仍能保持正常工作。
STD4NK50广泛应用于多种高电压和高电流场景,包括但不限于开关电源、电机驱动器、逆变器、电池充电器和DC-DC转换器等。此外,它还被用于工业自动化设备、消费类电子产品(如电视和电源适配器)以及汽车电子系统中。在这些应用中,STD4NK50能够提供可靠的功率控制和高效的电能转换,确保设备的稳定运行。
STD5NK50Z STF4NK50Z STD4N52K5