最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　平均整流电流（IO）@ TC=115°C：30A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）@ 8.3ms sine wave：200A
　　最大正向压降（VF）@ 30A, TJ=125°C：0.90V
　　最大正向压降（VF）@ 15A, TJ=125°C：0.82V
　　最大反向漏电流（IR）@ 60V, TJ=125°C：2.0mA
　　热阻抗（RθJC）：1.0°C/W
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247AC

MGBR30S60C的核心优势在于其出色的电学与热学性能结合。首先，该器件采用了肖特基势垒结构，使得其拥有比传统PN结二极管更低的正向导通压降。在30A的工作电流下，典型正向压降仅为0.90V左右，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。尤其在低压大电流输出的应用场景中，如5V或12V输出的开关电源中，这种低VF特性能够有效减少发热，提升能效比。其次，尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流问题，但MGBR30S60C通过优化的半导体工艺，在保证低VF的同时将最大反向漏电流控制在2.0mA以内（测试条件为60V、125°C），表现出良好的高温稳定性，避免因漏电流过大导致的功耗上升和热失控风险。
　　另一个关键特性是其强大的电流承载能力和浪涌耐受性。额定平均整流电流高达30A，意味着它可以持续输送大电流而不发生过热损坏。同时，其峰值正向浪涌电流可达200A（基于8.3ms单半波正弦波测试），这一指标表明该器件具备优异的瞬态过载承受能力，适合应对启动冲击、短路暂态或负载突变等严苛工况。这对于工业电源、通信设备电源模块以及太阳能逆变器等要求高可靠性的系统至关重要。
　　从封装角度看，TO-247AC是一种广泛使用的功率封装形式，具有较大的金属背板面积，有利于热量传导至外部散热器。其热阻抗RθJC仅为1.0°C/W，说明每传递1瓦功率所产生的温升非常小，有助于维持较低的结温，延长器件寿命。此外，该封装支持机械固定和电气绝缘安装，增强了系统的安全性和可维护性。MGBR30S60C还具备宽泛的工作温度范围（-65°C至+175°C），使其可在极端环境条件下稳定运行，包括高温工业现场或低温户外设施。
　　最后，该器件符合RoHS指令要求，不含铅等有害物质，符合现代绿色电子制造趋势。其制造过程遵循严格的品质控制流程，确保批次一致性与长期可靠性。综合来看，MGBR30S60C凭借其低损耗、高效率、强鲁棒性和良好热管理能力，成为中高功率整流应用中的理想选择。

MGBR30S60C主要应用于各类需要高效、大电流整流功能的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在服务器电源、电信电源和工业电源中作为输出整流级使用，利用其低正向压降特性提高转换效率并降低热耗。在直流-直流转换器中，该器件常被用作同步整流的替代方案或非隔离拓扑中的续流二极管，适用于降压（Buck）、升压（Boost）及升降压（Buck-Boost）电路结构。此外，在电池充电管理系统中，MGBR30S60C可用于防止反向放电和实现充放电路径控制，保障系统安全性。它也广泛用于逆变器设备，如太阳能光伏逆变器和不间断电源（UPS），在这些系统中承担能量回馈或极性保护功能。由于其高浪涌电流能力，该器件同样适用于电机驱动电路中的箝位和保护网络。其他应用还包括焊接设备、LED驱动电源、汽车电子辅助电源以及工业控制系统中的电源模块。得益于其TO-247封装带来的良好散热性能，MGBR30S60C特别适合紧凑型高功率密度设计，能够在有限空间内实现高效能表现。同时，其高温工作能力使其适用于恶劣环境下的长期运行，例如高温厂房、户外基站或车载环境中。总之，凡是对效率、可靠性及热管理有较高要求的大电流整流场合，MGBR30S60C均是一个值得信赖的选择。

MBR30H60CT