时间：2025/12/26 18:33:48
阅读：10
IRGP35B60PD是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能高压功率MOSFET，采用先进的沟道栅极和场截止技术设计，专为高效率开关应用而优化。该器件属于超快速（Ultra Fast）系列IGBT（绝缘栅双极型晶体管），具备较低的导通压降和开关损耗，适用于需要高频操作和高能效转换的电源系统。IRGP35B60PD的额定电压为600V，最大集电极电流可达35A，适合中等功率等级的应用场景。其封装形式为TO-247，具有良好的热传导性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以实现高效散热。该器件广泛应用于开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动、照明镇流器以及工业控制系统中。
IRGP35B60PD通过优化内部结构，在保证高击穿电压的同时显著降低了开关过程中的能量损耗，从而提高了整体系统的效率并减少对额外冷却措施的需求。此外，该IGBT还具备较强的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了在恶劣工作条件下的可靠性与鲁棒性。内置的反向续流二极管进一步简化了电路设计，特别是在桥式拓扑结构中无需外加二极管即可实现回路电流的自然换向。该器件符合RoHS环保标准，并经过严格的质量控制流程生产，确保长期运行的稳定性和一致性。
类型：IGBT
集电极-发射极电压（Vces）：600V
集电极电流（Ic）@25°C：35A
集电极电流（Ic）@100°C：18A
栅极-发射极电压（Vge）：±20V
功耗（Pd）：247W
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
阈值电压（Vge(th)）：典型值4.5V
开关频率：典型应用可达50kHz以上
封装类型：TO-247
导通压降（Vce(sat)）@Ic=35A, Vge=15V：典型值1.7V
IRGP35B60PD具备优异的开关性能和低导通损耗，是其核心优势之一。该器件采用先进的场截止沟道IGBT工艺，使得其在高电压阻断能力与低饱和压降之间实现了良好平衡。在正常工作条件下，当栅极驱动电压达到15V时，Vce(sat)典型值仅为1.7V，这意味着在大电流导通状态下产生的功率损耗较小，有助于提升系统整体效率并降低温升。此外，该器件的开关速度较快，开通时间和关断时间均处于同类产品中的领先水平，特别适合用于高频PWM控制场合，如DC-AC逆变器或PFC电路中。
另一个关键特性是其出色的热稳定性和可靠性。由于采用了高质量的硅芯片和坚固的TO-247封装结构，IRGP35B60PD能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠运行，适应严苛的工业环境。同时，该器件具有一定的短路承受能力，可在规定时间内承受过流冲击而不发生永久性损坏，提升了系统的安全裕度。内置的快速恢复反并联二极管也经过优化设计，具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，有效减少了电磁干扰（EMI）和电压尖峰问题。
此外，IRGP35B60PD还表现出良好的抗雪崩能力，能够承受一定的非重复性过压事件，这在感性负载切换或电网波动情况下尤为重要。其栅极输入阻抗较高，驱动功率需求小，兼容标准逻辑电平驱动电路，简化了驱动设计。综合来看，这些特性使IRGP35B60PD成为中小功率电力电子变换器中的理想选择，尤其适用于追求高效率、高可靠性和紧凑设计的应用领域。
IRGP35B60PD广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高效能和高频率操作的设备。常见的应用包括开关模式电源（SMPS），特别是大功率服务器电源、通信电源和工业电源模块，其中该器件作为主开关管使用，可显著提高电源转换效率并减小体积。在交流-直流和直流-交流转换系统中，例如UPS不间断电源和太阳能逆变器，IRGP35B60PD凭借其快速开关特性和低损耗表现，能够有效提升逆变效率并降低发热。
该器件也常用于电机驱动系统，如变频空调、洗衣机、工业风扇和泵类设备中的变频控制单元。在此类应用中，它能够实现精确的PWM调制控制，确保电机平稳启动和高效运行。此外，在感应加热设备、电子镇流器和弧焊电源中，IRGP35B60PD因其高耐压和强电流处理能力而被广泛采用。其内置反并联二极管的设计也使其非常适合H桥和半桥拓扑结构，避免了额外添加续流二极管的复杂性，从而简化PCB布局并降低成本。总体而言，该器件适用于所有要求高可靠性、高效率和紧凑设计的中等功率电力电子应用。
FGP35B60SDF
