类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：500V
　　平均整流电流（IO）：20A
　　峰值浪涌正向电流（IFSM）：200A（8.3ms单半正弦波）
　　正向电压降（VF）：典型值0.85V，最大值1.0V（在IF=20A, TJ=25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大5.0mA（在VR=500V, TJ=25°C）；高温下可达100mA（TJ=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻结到外壳（RθJC）：约1.0°C/W
　　封装形式：TO-220AB 或 I2PAK

MGBR20S50的核心特性之一是其低正向导通压降，这得益于其采用的肖特基势垒技术。在20A的工作电流下，典型VF仅为0.85V，相比传统快恢复二极管或标准硅PN结二极管，能够大幅降低导通状态下的功率损耗，提升电源系统的转换效率。这种高效的能量传输特别适用于大电流输出的开关电源设计中，如服务器电源、通信设备电源模块等。由于没有少数载流子存储效应，MGBR20S50几乎不存在反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr），因此在高频开关环境下不会产生额外的开关损耗，也不会因反向恢复引起的电流尖峰而导致电磁干扰问题。这一特性使其成为同步整流拓扑之外的一种高性能非对称整流解决方案。
　　另一个关键优势在于其高浪涌电流承受能力，额定IFSM可达200A，能够在电源启动或负载突变等瞬态工况下可靠运行而不发生击穿或退化。器件的工作结温最高可达+175°C，结合低至1.0°C/W的结到壳热阻，允许其在恶劣热环境中长期稳定工作。通过将TO-220封装固定在合适的散热器上，可以有效控制芯片温度，延长使用寿命。此外，MGBR20S50具备优良的机械强度和电气隔离性能，适合多种安装方式，包括垂直焊接于PCB板或通过绝缘垫片安装于大型散热结构上。其宽泛的反向电压等级（500V）也使其可用于PFC（功率因数校正）电路中的升压续流二极管，在保证系统效率的同时满足安全裕度要求。需要注意的是，虽然肖特基二极管具有诸多优点，但其相对较高的反向漏电流在高温环境下会显著增加，因此在高温应用场景中需加强散热设计并评估漏电流对系统待机功耗的影响。

MGBR20S50广泛应用于各类高功率密度、高效率要求的电力电子系统中。最典型的应用场景是作为输出整流二极管用于开关模式电源（SMPS），尤其是在大电流直流输出端，例如服务器电源、电信电源系统和工业用AC-DC转换器。在此类应用中，其低VF特性直接转化为更低的温升和更高的能效表现。此外，该器件常被用于有源功率因数校正（PFC）电路中的升压续流二极管，配合Boost拓扑结构实现输入电流正弦化，满足IEC 61000-3-2等谐波抑制标准。由于其500V的耐压等级足够覆盖大多数通用输入电压范围（90–264V AC）下的峰值电压，因此具备良好的系统兼容性和设计灵活性。
　　在DC-DC转换器领域，MGBR20S50适用于隔离型拓扑（如全桥、半桥、正激式）的次级侧整流环节，尤其当使用非同步整流架构时，其快速响应能力和低导通损耗优势尤为突出。同时，它也可用于太阳能逆变器、电动汽车充电模块、UPS不间断电源以及焊接电源等工业设备中，承担主回路中的自由轮续流或反向阻断功能。在这些应用中，器件必须具备优异的热稳定性和抗浪涌能力，而MGBR20S50正是为此类严苛环境所优化设计。此外，由于其符合环保规范且可靠性高，也被逐步引入车载电子系统，例如车载DC-DC变换器或辅助电源单元，支持新能源汽车内部不同电压等级之间的能量转换需求。总之，凡是需要高效、可靠、大电流整流的场合，MGBR20S50都是一个极具竞争力的选择。

MBR2050CT
　　STPS20H500CT
　　VS2050SBD
　　FDL2050H
　　SB2050V