时间：2025/8/6 2:23:34
阅读：35
MIXA20WB1200TMH 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）推出的碳化硅（SiC）功率模块，专为高功率密度和高效率应用而设计。该模块采用先进的碳化硅技术，具备优异的热性能和电气性能，适用于工业电机驱动、电动汽车充电系统、可再生能源逆变器等高要求的电力电子应用。
类型：碳化硅功率模块
额定电压：1200V
额定电流：20A
封装类型：双DIP封装
导通电阻（RDS(on)）：120mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
最大结温：200°C
短路耐受能力：600A（10μs）
MIXA20WB1200TMH 模块采用碳化硅（SiC）MOSFET技术，相比传统的硅基IGBT模块，具有更低的开关损耗和导通损耗，从而显著提高系统效率。此外，该模块具备优异的热传导性能，能够在高温环境下稳定运行，适用于高功率密度的设计需求。模块内部采用优化的封装结构，减少寄生电感，提高开关速度并降低电磁干扰（EMI）。
其封装设计符合行业标准，便于集成到现有的功率电子系统中。模块还具备良好的短路保护能力，可在极端工作条件下提供更高的可靠性和稳定性。此外，该模块适用于高频开关应用，支持更高的开关频率，从而减少外部滤波元件的尺寸和成本。
MIXA20WB1200TMH 主要应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中，例如电动汽车车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、工业电机驱动器、太阳能逆变器、储能系统以及UPS不间断电源等。由于其出色的性能，该模块也适用于需要高功率密度和高频开关的先进功率转换系统。
SCT3045AL, IXYS SiC模块（如IXRFD4112PbF）
