时间:2025/12/27 8:51:47
阅读:14
MGBR10L100是一款由Magnachip Semiconductor生产的10A、100V肖特基势垒整流二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)。该器件采用先进的平面工艺技术制造,具有低正向压降和高效率的特点,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及极性保护等应用场合。MGBR10L100封装形式为TO-220AB或类似的大功率塑料封装,具备良好的热性能和机械强度,能够在较高电流负载下稳定工作。其主要优势在于能够在保持较低功耗的同时提供较高的电流处理能力,因此在中等功率电源系统中被广泛采用。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适合用于消费类电子产品、工业控制设备及通信电源模块中。由于其反向耐压为100V,在12V、24V和48V系统中具有较好的安全裕度,可有效防止电压瞬态冲击导致的损坏。
产品类型:肖特基势垒二极管
额定平均正向电流(IF(AV)):10A
最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
最大直流阻断电压(VR):100V
最大正向压降(VF @ IF=10A):0.88V(典型值),1.0V(最大值)
最大反向漏电流(IR @ 25°C):1.0mA(典型值)
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
热阻(RθJC):约3.0°C/W
封装类型:TO-220AB
MGBR10L100的核心特性之一是其低正向导通压降(VF),在10A的工作电流下,典型值仅为0.88V,最大不超过1.0V。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的能效表现。相比传统PN结二极管,肖特基二极管由于其金属-半导体结结构,不存在少数载流子存储效应,因而具有极快的开关速度,适用于高频整流场合。这种快速响应能力使其在开关电源(SMPS)中作为输出整流管时能够有效减少反向恢复时间带来的能量损耗和电磁干扰问题。此外,该器件的反向恢复时间几乎可以忽略不计,进一步提升了电路的动态响应性能。
MGBR10L100具备优良的热稳定性与可靠性,采用TO-220AB封装,具有较大的散热面积和较低的结到壳热阻(RθJC ≈ 3.0°C/W),可在高负载条件下将内部热量迅速传导至外部散热器,从而避免因过热而导致性能下降或失效。该器件支持高达10A的平均正向整流电流,并能在+150°C的最高结温下持续运行,表现出优异的热管理能力。同时,其宽泛的工作温度范围(-65°C ~ +150°C)使其适用于严苛环境下的工业和汽车电子应用。
该二极管还具备一定的浪涌电流承受能力,能够在短时间内承受超过额定值的瞬态电流冲击而不发生永久性损坏,增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其低反向漏电流特性(典型值1.0mA @ 100V)有助于减少待机模式下的静态功耗,尤其适用于对能效要求较高的绿色能源产品。此外,器件通过了多项国际安全与环保认证,符合无铅(Pb-free)和RoHS指令要求,便于在全球范围内推广应用。
MGBR10L100广泛应用于各类中等功率电源系统中,特别是在需要高效、低损耗整流功能的场合。常见应用包括AC-DC开关电源的次级整流电路、DC-DC降压或升压转换器中的续流二极管、太阳能逆变器中的防反接保护单元以及电池充电管理系统中的电流隔离组件。由于其100V的反向耐压等级,特别适合用于48V通信电源系统或工业控制系统中,能够在输入电压波动较大时仍保持可靠工作。此外,该器件也常用于电机驱动电路中的自由轮续流路径,以吸收感性负载断开时产生的反电动势,保护主控开关器件如MOSFET或IGBT不受损害。
在服务器电源、网络交换机电源模块以及LED照明驱动电源中,MGBR10L100凭借其高电流承载能力和低VF特性,能够有效降低系统温升,提升长期运行的稳定性和寿命。在便携式大功率设备中,例如移动储能电源或电动车车载充电器中,该器件也被用作主整流元件,帮助实现更高的能量转换效率。此外,由于其封装形式便于安装散热片,适合在空间允许且注重散热设计的产品中使用。其快速开关特性也使其可用于高频逆变电路中,作为同步整流的替代方案之一,虽然不具备主动控制能力,但在成本敏感型设计中仍具竞争力。
MBR10100,MUR10100,STPS10L100,SB10100,DSSK10100