工作频率范围：2 GHz 至 6 GHz
　　噪声系数（NF）：0.55 dB（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　输出三阶交调截距（OIP3）：+33 dBm
　　输入三阶交调截距（IIP3）：+15 dBm
　　输入驻波比（VSWR）：1.3:1
　　输出驻波比（VSWR）：1.5:1
　　电源电压：5.0 V
　　静态电流：75 mA（典型值）
　　封装类型：SOT-89（3引脚）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

MGA68563TR1G具备多项显著特性，首先，其在2GHz至6GHz的宽频率范围内保持稳定的低噪声系数，典型值为0.55 dB，这对于提升接收机的灵敏度至关重要。其次，该器件提供高达18 dB的增益，能够有效放大微弱的射频信号而不引入过多噪声，适用于前端信号增强。此外，MGA68563TR1G具备出色的线性性能，输出三阶交调截距（OIP3）可达+33 dBm，输入三阶交调截距（IIP3）为+15 dBm，这使得其在高信号密度环境中仍能维持良好的信号完整性，避免信号失真。
　　在输入和输出端口，该器件具有良好的匹配性能，输入驻波比（VSWR）为1.3:1，输出驻波比（VSWR）为1.5:1，这意味着其能够与前端和后端电路高效连接，减少信号反射和损耗。MGA68563TR1G采用5.0 V单电源供电，典型工作电流为75 mA，功耗较低且适用于多种便携式或低功耗系统。此外，其采用SOT-89（3引脚）封装形式，结构紧凑，易于在PCB设计中布局，且具有良好的热稳定性。
　　该器件支持-40°C至+85°C的宽工作温度范围，适合工业级应用环境，具备良好的稳定性和可靠性。由于其基于SiGe技术，MGA68563TR1G能够在高频下提供优异的性能，同时保持成本效益，相较于砷化镓（GaAs）器件，SiGe技术更易于集成并具有更低的制造成本。

MGA68563TR1G主要应用于无线通信系统的射频前端，包括但不限于Wi-Fi接入点、WiMAX基站、蜂窝通信设备（如4G LTE用户终端和小型基站）、远程无线电头端（RRH）、RFID读写器、卫星通信设备、测试与测量仪器以及物联网（IoT）设备中的射频信号接收增强。此外，该器件也可用于雷达、导航系统、医疗成像设备以及其他需要高灵敏度射频接收的高性能电子系统。

MGA-634P, MGA-635P, ALM-9201, BFU520W, ATF-54143