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PMZB320UPEYL 发布时间 时间:2025/9/15 1:31:45 查看 阅读:28

PMZB320UPEYL 是一颗由东芝(Toshiba)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高效率的开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术,以实现低导通电阻(RDS(on))和优异的开关性能。PMZB320UPEYL 特别适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:120A
  最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:20V
  导通电阻(RDS(on)):2.3mΩ @ VGS=10V
  栅极电荷:230nC
  功耗:120W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:TO-263(表面贴装)

特性

PMZB320UPEYL MOSFET具备多项优良特性,包括低导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅极技术,使得其在高频率开关应用中表现出色。此外,PMZB320UPEYL 的最大漏极电流可达120A,能够支持高功率负载的需求,适用于需要高效能开关的场合。
  该MOSFET还具备良好的热稳定性,其最大工作温度可达+175°C,确保了在高温环境下仍能稳定运行。TO-263封装设计支持表面贴装工艺,适用于自动化生产流程,提高了PCB组装的效率和可靠性。此外,该器件的栅极电荷较低(230nC),有助于减少开关损耗并提升高频应用中的性能。
  PMZB320UPEYL 还具有较高的短路耐受能力,使其在突发过载或故障条件下能够保持稳定运行。其120W的最大功耗能力,使其在高功率密度设计中具有良好的适应性。同时,该器件的栅源电压范围较宽(最大20V),支持多种驱动电路配置,提高了设计的灵活性。

应用

PMZB320UPEYL 主要用于需要高效率和高功率密度的电子系统中,例如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备和电动车辆(如电动车和电动自行车)的功率管理系统。此外,该MOSFET也广泛应用于服务器电源、电信设备和高功率LED照明系统等高可靠性领域。

替代型号

SiR340DP-T1-GE3, IPPB90N10S4-03, IRF1324S-7PBF

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PMZB320UPEYL参数

  • 现有数量74,480现货
  • 价格1 : ¥3.97000剪切带(CT)10,000 : ¥0.58766卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)510 毫欧 @ 1A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)122 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)350mW(Ta),6.25W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN1006B-3
  • 封装/外壳3-XFDFN