时间：2025/9/15 1:31:45
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PMZB320UPEYL 是一颗由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，以实现低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能。PMZB320UPEYL 特别适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：120A
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：20V
导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ @ VGS=10V
栅极电荷：230nC
功耗：120W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-263（表面贴装）
PMZB320UPEYL MOSFET具备多项优良特性，包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，使得其在高频率开关应用中表现出色。此外，PMZB320UPEYL 的最大漏极电流可达120A，能够支持高功率负载的需求，适用于需要高效能开关的场合。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，其最大工作温度可达+175°C，确保了在高温环境下仍能稳定运行。TO-263封装设计支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程，提高了PCB组装的效率和可靠性。此外，该器件的栅极电荷较低（230nC），有助于减少开关损耗并提升高频应用中的性能。
PMZB320UPEYL 还具有较高的短路耐受能力，使其在突发过载或故障条件下能够保持稳定运行。其120W的最大功耗能力，使其在高功率密度设计中具有良好的适应性。同时，该器件的栅源电压范围较宽（最大20V），支持多种驱动电路配置，提高了设计的灵活性。
PMZB320UPEYL 主要用于需要高效率和高功率密度的电子系统中，例如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和电动车辆（如电动车和电动自行车）的功率管理系统。此外，该MOSFET也广泛应用于服务器电源、电信设备和高功率LED照明系统等高可靠性领域。
SiR340DP-T1-GE3, IPPB90N10S4-03, IRF1324S-7PBF
