类型：GaAs HEMT FET
　　封装类型：SOT-343
　　频率范围：DC 至 6 GHz
　　增益：约 16 dB（典型值）
　　噪声系数：约 0.6 dB（典型值）
　　输出功率：17 dBm（典型值）
　　工作电压：5 V
　　工作电流：50 mA（典型值）
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　SMT 封装：是

MGA17516BLKG 具有多个显著的性能特性，适用于高性能射频应用。首先，它基于 GaAs HEMT 技术，具有非常高的电子迁移率，从而实现了优异的高频性能和低噪声表现。其典型的噪声系数仅为 0.6 dB，在 500 MHz 到 6 GHz 的频率范围内保持稳定，适用于高灵敏度接收系统。
　　其次，该器件具有良好的线性度和高增益。在典型工作条件下，MGA17516BLKG 可提供高达 16 dB 的小信号增益，确保信号在传输过程中保持清晰和稳定。其输出功率能力为 17 dBm，适合中等功率的射频放大需求。
　　此外，该晶体管采用 SOT-343 表面贴装封装，便于自动化生产和小型化设计，适用于高密度 PCB 布局。其工作电压为 5 V，工作电流仅为 50 mA，具有良好的能效比，适用于低功耗系统设计。
　　该器件还具备良好的稳定性和可靠性，在宽温度范围内（-40°C 至 +85°C）均可稳定工作，适用于工业级和军用级环境。

MGA17516BLKG 广泛应用于各种射频和微波系统中，包括无线基站、Wi-Fi 接入点、射频测试设备、CATV（有线电视）系统、卫星通信设备和军事通信系统等。由于其低噪声系数和高增益特性，它常被用作低噪声放大器（LNA）或驱动放大器，以提升接收机的灵敏度和系统的整体性能。此外，其高线性度特性也使其适用于多载波和宽带通信系统中的信号放大。

MGA-17516-BLKG