时间：2025/5/13 17:43:51
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FQP18N20V2 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），属于 Fairchild（现为 ON Semiconductor）推出的 FQ 系列 MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
其设计目标是提供高效的功率转换解决方案，并且能够承受较高的电压，同时保持较低的功耗。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：18A
栅极电荷：55nC
导通电阻：0.18Ω
总耗散功率：190W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高电压耐受能力，最大漏源电压达到 200V，适用于高压环境。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 0.18Ω，从而显著降低导通损耗。
3. 快速开关性能，具有较小的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
4. 增强的热稳定性，可在高达 +175℃ 的结温下可靠运行。
5. 提供 TO-220 封装形式，便于散热设计和系统集成。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺制造。
1. 开关模式电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心功率级器件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 各种负载开关和保护电路中的电子开关。
5. 工业控制领域中用于高效率功率管理的场景。
6. 逆变器及 UPS 系统中的功率转换模块。
FQP18N20,
IRF18N20,
FDP18N20,
STP18NF20
