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MG654410 发布时间 时间:2025/12/25 7:53:55 查看 阅读:20

MG654410是一种高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率晶体管,广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的工艺制造,具备低导通电阻、高耐压能力以及优异的热性能,适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等多种高功率应用场景。MG654410通常采用TO-263或TO-220等表面贴装或通孔封装形式,以满足不同的设计需求。其设计旨在提供高效、可靠和紧凑的功率解决方案,适用于工业自动化、消费电子和汽车电子等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):100V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):75A
  导通电阻(RDS(on)):≤5.5mΩ(典型值)
  功率耗散(PD):300W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)、TO-220AB

特性

MG654410具有多个关键特性,使其在高性能功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该特性对于需要高电流能力的应用(如DC-DC转换器和电机驱动器)尤为重要。其次,MG654410的高耐压能力(VDS为100V)使其适用于中高压系统,确保在恶劣工作条件下的稳定运行。
  此外,该MOSFET具备良好的热性能,能够在高功率负载下保持较低的工作温度,从而提高整体系统的可靠性和寿命。其封装设计(如TO-263)支持良好的散热性能,适合高密度PCB布局。MG654410还具备快速开关能力,有助于减少开关损耗,提高电源转换效率。
  该器件的栅极驱动特性优化,能够在较低的栅极驱动电压下实现充分导通,兼容常见的逻辑电平驱动电路,如微控制器或PWM控制器。其高抗雪崩能力和内置的静电放电(ESD)保护进一步增强了器件的鲁棒性,使其在复杂电磁环境中也能稳定工作。

应用

MG654410适用于多种功率电子系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率控制模块。在汽车电子领域,它可用于车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。此外,该MOSFET也常用于高功率LED照明、UPS(不间断电源)和太阳能逆变器等应用,提供高效、可靠的功率开关功能。

替代型号

IRF1405, STP75NF75, FDP7530, Si7454DP

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