类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：25V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：5.5A
　　功耗(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　导通电阻(RDS(on))：最大值85mΩ（在Vgs=10V时）

GM1BC55255AC的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗和更高的效率。该器件的RDS(on)在Vgs=10V时最大为85mΩ，确保在高负载条件下仍能保持良好的性能。
　　此外，该MOSFET采用SOT-23封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适用于空间受限的电路设计。其最大漏极电流为5.5A，能够满足中等功率应用的需求。
　　该器件的栅极驱动电压范围为±12V，通常在10V时可实现完全导通。其栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度和整体效率。
　　热稳定性方面，GM1BC55255AC能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适合各种恶劣环境条件下的应用，如工业控制、汽车电子和便携式设备等。
　　总体而言，该MOSFET在性能、封装和热管理方面都具有优势，是多种功率电子应用中的理想选择。

GM1BC55255AC广泛应用于各类电源管理和功率转换系统。在DC-DC转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，提供高效的电压转换能力。
　　在电源管理模块中，GM1BC55255AC可用作负载开关或电源分配控制元件，实现对负载的快速开关控制，同时减少静态功耗。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于驱动继电器、电机、LED灯等负载，提供可靠的开关性能。
　　此外，GM1BC55255AC也适用于电池管理系统（BMS），在充放电控制电路中起到关键作用，确保电池组的安全运行。
　　由于其SOT-23封装体积小，该器件也常用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路，以提高能效并延长电池续航时间。

Si2302DS、AO3400A、IRLML2502、FDMS8878