工作频率范围：24 GHz 至 35 GHz
　　增益：典型值 18 dB
　　噪声系数：典型值 2.8 dB
　　OIP3（三阶交调截点）：典型值 +25 dBm
　　P1dB（1 dB压缩点输出功率）：典型值 +13 dBm
　　输入回波损耗：典型值 -10 dB
　　输出回波损耗：典型值 -12 dB
　　工作电压：+3.3 V 至 +5 V
　　静态电流：典型值 75 mA
　　封装类型：Ceramic SMT (3 mm × 3 mm)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　ESD耐受能力：Class 1C (HBM)

HMC3653LP3BE具备卓越的宽带低噪声放大性能，其核心优势在于在24 GHz至35 GHz的宽频带内实现了低噪声系数与高增益的高度平衡。该器件采用优化设计的两级级联放大架构，结合片上集成的输入/输出匹配网络，能够在整个目标频段内维持平坦的增益响应和稳定的噪声性能，典型噪声系数仅为2.8 dB，显著提升了接收链路的灵敏度。同时，其高达18 dB的典型增益有效减少了后续级联放大器的需求，有助于简化系统设计并降低整体功耗。该LNA具有出色的线性度表现，OIP3达到+25 dBm，P1dB输出功率为+13 dBm，意味着其能够处理较强的干扰信号而不发生严重失真，特别适用于高密度调制信号传输场景，如E-band和V-band无线通信系统中的高阶QAM调制解调应用。
　　HMC3653LP3BE还具备优异的输入与输出驻波比匹配特性，典型输入回波损耗优于-10 dB，输出回波损耗可达-12 dB，这使得其在面对天线端口或其他前端组件存在一定程度失配时仍能保持稳定工作，减少反射引起的增益波动和潜在振荡风险。器件采用GaAs pHEMT工艺制造，不仅提供了高频下的高电子迁移率和低寄生效应，还增强了高温环境下工作的可靠性。其陶瓷表面贴装封装不仅保证了良好的散热性能，还能在毫米波频段提供更低的介质损耗和更高的机械稳定性，适用于高振动或温差剧烈变化的户外部署环境。
　　供电方面，HMC3653LP3BE支持+3.3 V至+5 V的单电源操作，典型静态电流为75 mA，可通过外部偏置电阻调节偏置点以适应不同功耗与性能需求，实现灵活的设计优化。该器件无需负压供电或复杂启动电路，极大简化了电源设计流程。此外，HMC3653LP3BE内置了过流保护和热关断机制（取决于具体应用配置），提高了系统级可靠性。由于其高度集成化的设计理念，用户无需额外添加复杂的直流隔离电容或射频扼流圈即可完成基本功能搭建，从而缩短开发周期并提升产品上市速度。

HMC3653LP3BE广泛应用于需要高性能毫米波射频前端的通信与传感系统中。其主要应用场景包括5G新无线电（5G NR）固定无线接入（FWA）终端设备，用于将基站信号高效接收并转换为室内网络接入服务，尤其适用于城市密集区域的高速宽带部署。此外，该器件也常用于点对点（PtP）和点对多点（PtMP）微波回传链路系统，在24 GHz以上频段实现数Gbps级别的数据传输速率，支持运营商构建高容量骨干网或边缘网络连接。在卫星通信领域，HMC3653LP3BE可用于低轨（LEO）或地球同步轨道（GEO）卫星地面站的上行/下行链路接收模块，凭借其低噪声特性提升信噪比，增强弱信号捕获能力。
　　该芯片同样适用于车载雷达与工业雷达系统，特别是在30 GHz附近的高分辨率成像雷达或运动检测传感器中，作为前端低噪声放大单元提升探测精度与距离。其宽带特性允许单一型号覆盖多个子频段，减少库存种类并提高设计复用率。在测试与测量仪器中，如矢量网络分析仪（VNA）或频谱仪的前端扩展模块，HMC3653LP3BE可用来增强高频信号的接收动态范围，提升测量准确性。此外，它还可用于军用通信系统、电子战（EW）设备以及无人机（UAV）远程控制链路等对可靠性和性能要求极高的场合。得益于其小型化封装和表面贴装工艺兼容性，HMC3653LP3BE非常适合集成到紧凑型毫米波模块或多芯片封装（MCM）结构中，满足未来智能天线和相控阵系统的集成需求。

HMC563LC5TR