MG651050 时间：2025/4/28 16:42:13 阅读：3

MG651050是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高功率场景。该器件采用了先进的沟槽式技术，具备低导通电阻和快速开关性能，能够有效降低功耗并提高系统效率。
　　MG651050的设计旨在满足高频率和高效率应用的需求，其优化的结构使其在高温条件下仍能保持稳定的性能表现。

参数

最大漏源电压：1050V
　　连续漏极电流：6.5A
　　导通电阻：2.4Ω
　　栅极电荷：85nC
　　开关时间：开启时间：75ns，关断时间：95ns
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

MG651050具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力，支持高达1050V的工作电压，适用于高压环境下的电路设计。
　　2. 低导通电阻，在高电流负载下减少功耗，提升整体效率。
　　3. 快速开关速度，降低了开关损耗，适合高频应用场景。
　　4. 具备出色的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保证可靠性。
　　5. 内置ESD保护功能，增强芯片抗静电能力，提高产品使用寿命。

应用

MG651050广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)，如适配器、充电器等。
　　2. 电机驱动，用于工业控制和家用电器中的无刷直流电机控制。
　　3. 逆变器，包括太阳能逆变器和其他类型的电力转换设备。
　　4. LED照明驱动电路，提供高效稳定的电流输出。
　　5. 各种高电压、大功率电子设备中作为关键功率开关元件。