MG632506-4 时间：2025/12/25 8:04:22 阅读：16

MG632506-4 是一款由 MagnaChip 生产的高压、高边 N 沟道 MOSFET 驱动器集成电路，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器和电机驱动等场合。该器件采用高压工艺制造，能够承受高达 600V 的电压，并提供高驱动能力和出色的抗噪性能。MG632506-4 采用 16 引脚封装，适用于工业控制、消费类电子和汽车电子等领域。

参数

类型：高压高边 MOSFET 驱动器
　　工作电压范围：10V 至 20V
　　高压耐受：600V
　　输出电流：最高可达 1.5A（峰值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：16 引脚 SOP
　　驱动能力：高边 N 沟道 MOSFET 驱动
　　传播延迟：典型值 150ns

特性

MG632506-4 的核心特性包括其高压耐受能力和高输出驱动能力，这使其能够直接驱动高边 N 沟道 MOSFET，而无需额外的电平移位电路。该器件集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，确保在电源电压不足时自动关闭输出，防止误操作。此外，MG632506-4 还具备较强的抗干扰能力，能够在高频开关应用中保持稳定工作。
　　该驱动器的高边结构设计支持高达 600V 的工作电压，适合用于升压（Boost）、半桥和全桥拓扑结构的电源转换系统。其低静态电流和快速响应特性也使其在节能和高效率应用中表现出色。
　　MG632506-4 的封装设计紧凑，便于在 PCB 布局中使用，并具有良好的热管理性能。其内部电路设计优化了驱动波形，减少开关损耗，提高系统整体效率。

应用

MG632506-4 主要应用于各类电力电子系统中，包括 DC-DC 升压转换器、PFC（功率因数校正）电路、电机驱动器、电源模块和工业自动化设备中的高压开关控制。此外，该器件也适用于 LED 驱动、家电电源系统和新能源汽车中的电力管理系统。
　　在工业控制领域，MG632506-4 可用于驱动大功率 MOSFET 或 IGBT，实现对电机、加热元件或其他负载的精确控制。在消费类电子产品中，该器件常用于电源适配器、充电器和智能电源插座等设备中，以提高能效和稳定性。